La Cina Chip del circuito integrato

Chip di circuito integrato IXYP15N65B3D1 IGBT Transistor TO-220 Semiconduttore discreto

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Imballaggi particolari:Pacchetto standard
Chip di circuito integrato IXYP30N120B4 Transistor IGBT a semiconduttore discreto

Quantità di ordine minimo:10

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Imballaggi particolari:Pacchetto standard
Chip di circuito integrato ISL9V3040D3ST-F085C 430V N-Channel Ignition IGBT Transistor

Minimum Order Quantity:10

Prezzo:Contact for Sample

Packaging Details:Standard package
Chip di circuito integrato FGAF40N60UFTU 600V 40A 100W Transistor IGBT singoli TO-3PF-3

Minimum Order Quantity:10

Prezzo:Contact for Sample

Packaging Details:Standard package
FGH75T65UPD-F085 IGBT Transistor TO-247-3 Trench Field Stop

Quantità di ordine minimo:10

Prezzo:Contact for Sample

Imballaggi particolari:Pacchetto standard
Chip di circuito integrato FGH75T65UPD-F155 Trench Field Stop 650V Transistor IGBT

Quantità di ordine minimo:10

Prezzo:Contact for Sample

Packaging Details:Standard package
Chip di circuito integrato FGH75T65SQDTL4 650V 150A Transistor IGBT singoli TO-247-4

Minimum Order Quantity:10

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Packaging Details:Standard package
Chip di circuito integrato BSC010NE2LSI Single OptiMOSTM MOSFET N-Channel Transistor

Quantità di ordine minimo:10

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Imballaggi particolari:Pacchetto standard
Chip di circuito integrato SY75612TWL 160MHz Fanout Buffer con uscita abilitata VQFN-56

Quantità di ordine minimo:10

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Imballaggi particolari:Pacchetto standard
D2PAK-7 singoli transistor dei FETs di N-Manica di superficie del supporto NVBG080N120SC1

Numero della parte:NVBG080N120SC1

Numero di canali:1 canale

Resistenza su di Scolo-fonte di RDS:110 mOhms
Singoli transistor del MOSFET 8-LFPAK di potere dei transistor NTMJS1D4N06CLTWG di N-Manica

Numero della parte:NTMJS1D4N06CLTWG

Tensione di Gate−to−Source:20V

Corrente di fonte (diodo del corpo):150A
Transistor di superficie del supporto del chip NVBG060N090SC1 D2PAK-7 del circuito integrato

Numero della parte:NVBG060N090SC1

Temperatura di funzionamento:-55°C ~ 175°C (TJ)

Identificazione - corrente continua dello scolo:44 A

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Chip di circuito integrato ISL9V3040D3ST-F085C 430V N-Channel Ignition IGBT Transistor

Chip di circuito integrato FGAF40N60UFTU 600V 40A 100W Transistor IGBT singoli TO-3PF-3

FGH75T65UPD-F085 IGBT Transistor TO-247-3 Trench Field Stop

Chip di circuito integrato FGH75T65UPD-F155 Trench Field Stop 650V Transistor IGBT

Chip di circuito integrato FGH75T65SQDTL4 650V 150A Transistor IGBT singoli TO-247-4

Chip di circuito integrato BSC010NE2LSI Single OptiMOSTM MOSFET N-Channel Transistor

Chip di circuito integrato SY75612TWL 160MHz Fanout Buffer con uscita abilitata VQFN-56

D2PAK-7 singoli transistor dei FETs di N-Manica di superficie del supporto NVBG080N120SC1

Singoli transistor del MOSFET 8-LFPAK di potere dei transistor NTMJS1D4N06CLTWG di N-Manica

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