La Cina Chip del circuito integrato

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  singoli IGBTs transistor FGH4L40T120LQD TO-247-4 di 1200V 306W attraverso il foro

  Numero del pezzo:FGH4L40T120LQD

  Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore:1200 V

  Tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore:1,55 V

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  Transistor di superficie dei MOSFETs dei FETs di N-Manica 60A del supporto NTBG040N120SC1 singoli

  Numero del pezzo:NTBG040N120SC1

  Tensione di controllo:20V

  Vgs (massimo):+25V, -15V

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  Il chip PG-HSOG-8-1 di IC imballa i singoli transistor dei MOSFETs dei FETs di IAUTN06S5N008G

  Numero del pezzo:IAUTN06S5N008G

  Pacchetto:PG-HSOG-8-1

  Terminali:8

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  484-BGA gate array programmabile IC del giacimento del pacchetto XC7S75-1FGGA484C Spartan-7

  Numero del pezzo:XC7S75-1FGGA484C

  Laboratori:6000

  Elementi di logica/cellule:76800

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  66kHz TO-3P-5L con il ritorno del raggio catodico offline del convertitore dei convertitori FS7M0880YDTU di CC di CA del foro

  Numero del pezzo:FS7M0880YDTU

  isolamento dell'uscita:Isolato

  Commutatori interni:SÌ

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  Circuiti integrati Chip MSC015SMA070 Transistor Canale N 700V 131A 400W Foro passante TO-247-3

  Numero del pezzo:MSC015SMA070

  Tipo del FET:N-Manica

  Tecnologia:SiCFET (carburo di silicio)

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  TO-247-4 tramite i singoli transistor di N-Manica del foro MSC080SMA120 1200V 37A

  Numero del pezzo:MSC080SMA120

  Temperatura di funzionamento:-55°C ~ 175°C (TJ)

  Dissipazione di potere:200W (TC)

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  1200V diodo Schottky TO-247-3 del carburo di silicio di recupero del diodo MSC050SDA120B zero

  Numero del pezzo:MSC050SDA120B

  Tensione di andata (SE = 50 A, TJ = °C) 25 - massimo:1.8V

  Tensione - di andata (Vf) (massimo) @ se:1,8 V @ 50 A

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  Transistor di superficie di N-Manica del pacchetto MSC180SMA120 21A 125W del supporto TO-268

  Numero del pezzo:MSC180SMA120

  Tassa del portone:34 nC @ 20 V

  RDS sopra:225mOhm @ 8A, 20V

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  Transistor MSC400SMA330 TO-247-4 di N-Manica del carburo di silicio attraverso il foro

  Numero del pezzo:MSC400SMA330

  Corrente continua dello scolo:11 A

  Tensione della soglia di Portone-fonte:2,97 V

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  1 MOSFET di potere dei transistor TO-247-4 del carburo di silicio di N-Manica MSC060SMA070B4 700V

  Numero del pezzo:MSC060SMA070B4

  Th di Vgs - tensione della soglia di Portone-fonte:1.9V

  Qg - tassa del portone:56 nC

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  Transistor di giunzione del carburo di silicio del MOSFET IMYH200R012M1H 2000V di N-Manica TO-247-4

  Numero del pezzo:IMYH200R012M1H

  Serie:CoolSiC™

  Vgs (massimo):+20V, -7V

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