La Cina Chip del circuito integrato

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  RV1S2951ACCNS-1F0C chip di circuito integrato transistor ad alta tensione 2500Vrms accoppiato otticamente

  Quantità di ordine minimo:10

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  Imballaggi particolari:Pacchetto standard

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  RV1S2951ACCNS-1F0V Transistore a circuito integrato a bassa corrente di accoppiamento ottico

  Quantità di ordine minimo:10

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  Imballaggi particolari:Pacchetto standard

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  UJ4N075004L8S chip di circuito integrato SiC JFET transistor 750V JFET al carburo di silicio

  Quantità di ordine minimo:10

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  Imballaggi particolari:Pacchetto standard

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  UJ4N075005K4S circuito integrato chip carburo di silicio JFET transistor TO-247-4 SiC JFET

  Quantità di ordine minimo:10

  Prezzo:Contact for Sample

  Imballaggi particolari:Pacchetto standard

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  NSV1C300CTWG chip di circuito integrato Bipolar Power Transistors 100V PNP Transistor

  Quantità di ordine minimo:10

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  Imballaggi particolari:Pacchetto standard

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  STGWA30M65DF2AG Chip di circuito integrato IGBT Trench Field Stop 650V IGBT Transistor

  Quantità di ordine minimo:10

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  Imballaggi particolari:Pacchetto standard

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  Pacchetto programmabile di gate array 484-BGA di logica 10M50DDF484I7G del campo programmabile di IC

  Numero della parte:10M50DDF484I7G

  Numero di LAB/CLB:3125

  Bits totali di RAM:1677312

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  Gate array programmabile IC di XC7A200T-L1FFG1156I del campo per tutti gli usi di rendimento elevato

  Numero della parte:XC7A200T-L1FFG1156I

  Voltaggio - Fornitura:0.95V ~ 1.05V

  Tipo di montaggio:Montaggio superficiale

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  Logica programmabile programmabile IC di gate array XC7A35T-1CSG324I 324-LFBGA del campo

  Numero della parte:XC7A35T-1CSG324I

  Ritardo medio del rubinetto:200 megahertz = 78 ps

  Rifornimento del backup di batteria di memoria chiave (massimo):2.0V

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  Chip di circuito integrato IHW25N120E1 IGBT NPT e transistor a trincea 1200V 50A

  Quantità di ordine minimo:10

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  Chip di circuito integrato IPF012N06NF2S StrongIRFETTM 2 Transistor a potenza singola

  Quantità di ordine minimo:10

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  Chip di circuito integrato ISC022N10NM6ATMA1 N canale di ossido di metallo transistor 8PowerTDFN

  Quantità di ordine minimo:10

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