La Cina Moduli automobilistici di IGBT

MOSFET automobilistico di CoolSiC del carburo di silicio dei moduli DF11MR12W1M1PB11BPSA1 1200V di IGBT

Numero del pezzo:DF11MR12W1M1PB11BPSA1

Serie:EasyPACK™

Temperatura di funzionamento (massima):150°C (TJ)
moduli automobilistici del MOSFET del carburo di silicio dei moduli DF23MR12W1M1B11BPSA1 di 20mW IGBT

Numero del pezzo:DF23MR12W1M1B11BPSA1

VDSS:1200V

Nom di identificazione:25A
Moduli automobilistici dei transistor IGBT dei moduli FF600R12ME4WB73BPSA1 600A di IGBT

Numero del pezzo:FF600R12ME4WB73BPSA1

Capacità introdotta (Cies) @ Vce:37 N-F @ 25 V

Input:Norma
Moduli dei transistor IGBT del supporto FS150R12N2T7B15BPSA1 1200V 150A del telaio

Numero del pezzo:FS150R12N2T7B15BPSA1

Corrente - taglio del collettore:µA 12

Temperatura di funzionamento minima:- 40 C
Moduli automobilistici 20mW 2N-Channel del carburo di silicio DF23MR12W1M1PB11BPSA1 IGBT

Numero del pezzo:DF23MR12W1M1PB11BPSA1

Tecnologia:Carburo di silicio (sic)

Vuoti a tensione di fonte (Vdss):1200 V (1,2 kV)
Moduli automobilistici FP200R12N3T7B11BPSA1 di IGBT 20 moduli del supporto IGBT del telaio di Mw

Numero del pezzo:FP200R12N3T7B11BPSA1

Massimo elettrico:20 Mw

VCEO massimo:1200 V
modulo automobilistico dei transistor dei moduli DF11MR12W1M1B11BPSA1 2N-Channel di 1200V IGBT

Numero del pezzo:DF11MR12W1M1B11BPSA1

Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs:124nC @ 15V

Massimo elettrico:20mW
Invertitore trifase di arresto di campo della fossa del modulo di FP150R12N3T7PB11BPSA1 IGBT

Numero del pezzo:FP150R12N3T7PB11BPSA1

Stato del prodotto:Attivo

Tipo IGBT:Fermata del campo di trincea
Moduli automobilistici del supporto IGBT del telaio di rendimento elevato FS820R08A6P2 714 W

Numero del pezzo:FS820R08A6P2

VCEO:750 V

Temperatura di funzionamento minima:- 40 C
Fermata di campo automobilistica della fossa dei moduli 870W dei moduli FS950R08A6P2LB 750V IGBT di IGBT

Numero del pezzo:FS950R08A6P2LB

Isolamento di CC 1sec:4.2kV

Temperatura estesa a breve termine di operazione:Tvj op = 175°C
Invertitore trifase di arresto di campo della fossa dei moduli FS770R08A6P2LB 750V 450A di IGBT

Numero del pezzo:FS770R08A6P2LB

Configurazione:6-Pack

Palladio - dissipazione di potere:654 W
Moduli automobilistici 650V di arresto di campo della fossa dei moduli FS200R07A1E3 790W di IGBT IGBT

Numero del pezzo:FS200R07A1E3

Massimo elettrico:790 W

Tipo IGBT:Fermata del campo di trincea

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Fermata di campo automobilistica della fossa dei moduli 870W dei moduli FS950R08A6P2LB 750V IGBT di IGBT

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Chip del circuito integrato

VN7008AJTR circuito integrato chip driver lato alto 96A switch lato alto PowerSSO-16

ADG1433YCPZ Chip di circuito integrato iCMOSTM Switch 4.7 Ohm Industrial CMOS Analog Switch

LT6700CS6-1 Chip di circuito integrato Micropower Low Voltage Dual Comparator Con 400mV di riferimento

CI ethernet

PEX8606-BA50BCG Ethernet IC 5.0GT/s 6-Lane 6-Port PCI Express Gen 2 Switch PBGA-196

PEX8619-BA50BIG Ethernet IC 16-Lane 16-Port PCI Express Switch HSBGA-324 PCIe Switch

88E1111-B2-RCJ1C000 Ethernet IC Alaska Ultra Gigabit Ethernet PHY Trasmettitori