La Cina Moduli automobilistici di IGBT

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  moduli automobilistici 700V dei MOSFETs MSCSM70TLM10C3AG IGBT del carburo di silicio 4N-Channel

  Numero del pezzo:MSCSM70TLM10C3AG

  Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs:430nC @ 20V

  Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds:9000pF @ 700V

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  Modulo automobilistico 1200V di Schottky del carburo di silicio dei moduli MSCDC100A120D1PAG di IGBT

  Numero del pezzo:MSCDC100A120D1PAG

  Configurazione del diodo:Connessione in serie a 1 coppia

  Carica capacitiva totale VR = 600V:448 nC (tipico)

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  Moduli discreti automobilistici a semiconduttore dei moduli MSCSM120TAM16CTPAG 728W di IGBT

  Numero del pezzo:MSCSM120TAM16CTPAG

  corrente di perdita di Portone-fonte:1μA

  Tensione della soglia del portone:2.8V

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  Modulo dei transistor del supporto del telaio di matrice 1200V 251A del Mosfet di MSCSM120TAM11CTPAG

  Numero del pezzo:MSCSM120TAM11CTPAG

  Corrente pulsata dello scolo:1600A

  Tensione di Portone-fonte:25V

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  moduli automobilistici del diodo Schottky MSCDC100A170D1PAG IGBT del carburo di silicio di 1700V 100A

  Numero del pezzo:MSCDC100A170D1PAG

  Prese di alimentazione:Prese di alimentazione M5

  Tensione:1700V

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  Modulo di potere automobilistico del diodo dei moduli 700V 100A dei moduli MSCDC100A70D1PAG IGBT

  Numero del pezzo:MSCDC100A70D1PAG

  Velocità:Nessun tempo di recupero > 500mA (Io

  Tensione - di andata (Vf) (massimo) @ se:1,8 V @ 100 A

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  Moduli IGBT automotive MSCSM70VM19C3AG Mosfet Array Transistor a montaggio su telaio

  Numero del pezzo:MSCSM70VM19C3AG

  Montaggio dello stile:Innesti a vite

  Vf - tensione di andata:1,5 V a 50 A

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  moduli automobilistici dei transistor MSCSM70VM10C4AG IGBT del supporto del telaio 238A

  Numero del pezzo:MSCSM70VM10C4AG

  Configurazione:2 Manica di N (gamba di fase)

  Massimo elettrico:674W (TC)

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  Modulo automobilistico dei diodi SiC della gamba dei moduli MSCDC150A170D1PAG 150A di alimentazione di fase IGBT

  Numero del pezzo:MSCDC150A170D1PAG

  Pacchetto del dispositivo del fornitore:D1P

  Prodotto:Modulo di potere del diodo

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  Moduli IGBT automobilistici MSCSM120AM042CT6LIAG 495A Transistor Montaggio su telaio

  Numero del pezzo:MSCSM120AM042CT6LIAG

  Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds:18100pF @ 1kV

  Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs:1392nC @ 20V

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  di fase 200A della gamba moduli automobilistici del modulo di potere dei diodi sic MSCDC200A120D1PAG IGBT

  Numero del pezzo:MSCDC200A120D1PAG

  Tensione - di andata (Vf) (massimo) @ se:1,8 V @ 200 A

  Corrente di andata di CC TC = °C 95:200A

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  Moduli semiconduttori discreti MSCSM120AM042CT6AG Transistor Montaggio su telaio

  Numero del pezzo:MSCSM120AM042CT6AG

  Tipo:Gamba di fase

  Identificazione - Corrente continua dello scolo:495 A

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