La Cina Moduli automobilistici di IGBT

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  Moduli IGBT per autoveicoli MSC100SM70JCU2 Boost Chopper SiC MOSFET Power Module SOT-227-4

  Numero del pezzo:MSC100SM70JCU2

  Tipo del FET:N-Manica

  RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs:19mOhm @ 40A, 20V

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  Transistor automobilistici del modulo di potere del carburo di silicio dei moduli MSCSM70AM025CD3AG di IGBT

  Numero del pezzo:MSCSM70AM025CD3AG

  VF:1,5 V

  ver:700 V

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  Transistor discreti del carburo di silicio dei moduli MSCSM120AM50CT1AG a semiconduttore

  Numero del pezzo:MSCSM120AM50CT1AG

  Tecnologia:SIC

  Tipo:Gamba di fase

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  Inverter a tre livelli MSCSM170TLM23C3AG Modulo di potenza MOSFET SiC 1700V 4N-canale

  Numero del pezzo:MSCSM170TLM23C3AG

  Pacchetto del dispositivo del fornitore:SP3F

  Pacchetto/caso:Modulo

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  Moduli IGBT automobilistici MSCSM120AM11CT3AG 1,2 kV 254 A 1,067 kW MOSFET Transistor

  Numero del pezzo:MSCSM120AM11CT3AG

  Tempo di recupero inverso:90ns

  Resistenza termica del Giunzione--caso:0.126°C/W

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  moduli automobilistici 700V dei MOSFETs MSCSM70TLM10C3AG IGBT del carburo di silicio 4N-Channel

  Numero del pezzo:MSCSM70TLM10C3AG

  Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs:430nC @ 20V

  Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds:9000pF @ 700V

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  Modulo automobilistico 1200V di Schottky del carburo di silicio dei moduli MSCDC100A120D1PAG di IGBT

  Numero del pezzo:MSCDC100A120D1PAG

  Configurazione del diodo:Connessione in serie a 1 coppia

  Carica capacitiva totale VR = 600V:448 nC (tipico)

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  Moduli discreti automobilistici a semiconduttore dei moduli MSCSM120TAM16CTPAG 728W di IGBT

  Numero del pezzo:MSCSM120TAM16CTPAG

  corrente di perdita di Portone-fonte:1μA

  Tensione della soglia del portone:2.8V

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  Modulo dei transistor del supporto del telaio di matrice 1200V 251A del Mosfet di MSCSM120TAM11CTPAG

  Numero del pezzo:MSCSM120TAM11CTPAG

  Corrente pulsata dello scolo:1600A

  Tensione di Portone-fonte:25V

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  moduli automobilistici del diodo Schottky MSCDC100A170D1PAG IGBT del carburo di silicio di 1700V 100A

  Numero del pezzo:MSCDC100A170D1PAG

  Prese di alimentazione:Prese di alimentazione M5

  Tensione:1700V

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  Modulo di potere automobilistico del diodo dei moduli 700V 100A dei moduli MSCDC100A70D1PAG IGBT

  Numero del pezzo:MSCDC100A70D1PAG

  Velocità:Nessun tempo di recupero > 500mA (Io

  Tensione - di andata (Vf) (massimo) @ se:1,8 V @ 100 A

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  Moduli IGBT automotive MSCSM70VM19C3AG Mosfet Array Transistor a montaggio su telaio

  Numero del pezzo:MSCSM70VM19C3AG

  Montaggio dello stile:Innesti a vite

  Vf - tensione di andata:1,5 V a 50 A

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