La Cina Moduli automobilistici di IGBT

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  Automobilistico dei moduli 1200V di NXH25C120L2C2SG IGBT stampatura per trasferimento

  Numero del pezzo:NXH35C120L2C2S1G

  Capacità introdotta (Cies) @ Vce:6,2 N-F @ 20 V

  Input:raddrizzatore a ponte trifase

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  NXH35C120L2C2S1G Modulo IGBT al silicio Inverter trifase 26-DIP

  Numero del pezzo:NXH35C120L2C2S1G

  Prodotto:Moduli del silicio di IGBT

  Configurazione:invertitore trifase

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  3 moduli automobilistici FAM65V05DF1 di potere astuto IGBT di fase

  Numero del pezzo:FAM65V05DF1

  Configurazione:fase 3

  Tensione:650 V

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  Ponte del modulo 650V H del driver IGBT di potere di NXV65HR82DZ1 16-SSIP

  Numero del pezzo:NXV65HR82DZ1

  Tipo:MOSFET

  Configurazione:H-ponte

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  2 moduli automobilistici 650V 33A FAM65CR51DZ2 del silicio indipendente IGBT

  Numero del pezzo:FAM65CR51DZ2

  Temperatura di funzionamento:-40°C ~ 175°C (TJ)

  Termistore di SNTC bcategory:Sì

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  il campo della fossa 194W ferma il Manica doppio NXH300B100H4Q2F2PG dei moduli 3 di IGBT

  Numero del pezzo:NXH300B100H4Q2F2PG

  Temperatura di funzionamento:-40°C ~ 175°C (TJ)

  Termistore di SNTC bcategory:Sì

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  3 modulo automobilistico NXH25T120L2Q1PTG Q1 1200V 81W di fase IGBT

  Numero della parte:NXH25T120L2Q1PTG

  Temperatura massima di funzionamento:+ 150 C

  Sottocategoria:IGBTs

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  Moduli automobilistici trifasi NXH50M65L4C2SG dell'invertitore 650V IGBT

  Numero del pezzo:NXH50M65L4C2SG

  Temperatura di funzionamento massima:+ 150 C

  Sottocategoria:IGBTs

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  IGBT un supporto 1200V 40A di 3 di fase dell'invertitore telai del modulo NXH40T120L3Q1PG

  Numero del pezzo:NXH40T120L3Q1PG

  Configurazione:invertitore trifase

  Tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore:1,85 V

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  Moduli automobilistici 1200V di NXH40T120L3Q1SG IGBT trifasi

  Numero della parte:NXH40T120L3Q1SG

  Input:raddrizzatore a ponte trifase

  Corrente - limite del collettore (massimo):µA 400

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  modulo 2 NXH450B100H4Q2F2SG indipendente di 234W 1000V IGBT senza piombo

  Numero della parte:NXH450B100H4Q2F2SG

  corrente di perdita dell'Portone-emettitore:Na 800

  Pd - Dissipazione di potenza:234 W

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  Moduli automobilistici 1200V NXH80T120L3Q0S3G di arresto di campo della fossa IGBT

  Numero della parte:NXH80T120L3Q0S3G

  Corrente - limite del collettore (massimo):300µA

  Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:2.4V @ 15V, 80A

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