La Cina Gate array programmabile del campo

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  Chip 5M1270ZT144C5N 6.2NS del circuito integrato 144TQFP nel sistema programmabile

  Numero del pezzo:5M1270ZT144C5N

  Tipo programmabile:Nel sistema programmabile

  Pacchetto/caso:144-LQFP

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  PCI FBGA324 compiacente di 66MHz 5M1270ZF324I5N 32Bit nel sistema programmabile

  Numero del pezzo:5M1270ZF324I5N

  Memoria flash dell'utente:8 KB

  Tipo programmabile:Nel sistema programmabile

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  7NS in dispositivi logici programmabili programmabili del sistema 5M2210ZF256I5N 256FBGA

  Numero del pezzo:5M2210ZF256I5N

  Tpd di tempo di ritardo (1) massimo:7 NS

  Numero di I/O:203

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  Pacchetto programmabile di IC 100-TQFP di logica del chip 5M570ZT100I5N del circuito integrato

  Numero del pezzo:5M570ZT100I5N

  Tpd di tempo di ritardo (1) massimo:9 n

  Numero di macrocelle:440

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  CC e CA di FPGA IC XC7K70T-1FBG676I che commutano il supporto di superficie di IC FCBGA676

  Numero del pezzo:XC7K70T-1FBG676I

  Totale bit RAM:4976640

  Temperatura di funzionamento:-40°C ~ 100°C (TJ)

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  Gate array programmabile del campo del chip XC7A35T-2FTG256C LBGA256 del circuito integrato

  Numero del pezzo:XC7A35T-2FTG256C

  Blocchetto RAM della doppia porta:36 KB

  Interfacce TDDR3:Fino a 1.866 Mb/s

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  Gate array programmabile del campo in grande quantità del chip XC7A35T-1FTG256I FPGA IC LBGA256 di IC

  Numero del pezzo:XC7A35T-1FTG256I

  Temperatura di funzionamento:-40°C ~ 100°C (TJ)

  Numero di I/O:170

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  Gate array programmabile del campo del chip XC7K160T-1FBG484I FCBGA484 del circuito integrato

  Numero del pezzo:XC7K160T-1FBG484I

  Tensione dell'offerta interna (VCCINT):– 0.5V a 1.1V

  Voltaggio batteria:1,0 V - 1,89 V

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  Supporto programmabile della superficie di gate array FCBGA484 del campo di IC FPGA XC7K160T-2FBG484C

  Numero del pezzo:XC7K160T-2FBG484C

  Tasso di dati minimo del ricetrasmettitore di GTX:0.5Gb/s

  Numero di I/O:285

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  Gate array programmabile FCBGA676 100Ohms FPGA IC del campo di XC7K70T-3FBG676E

  Numero del pezzo:XC7K70T-3FBG676E

  Interfacce DDR3:Fino a 1.866 Mb/s

  Blocchetto RAM della doppia porta:36 KB

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  Rendimento elevato del chip BBGA676 del chip XC7K70T-L2FBG676E FPGA del circuito integrato

  Numero del pezzo:XC7K70T-L2FBG676E

  Numero di LAB/CLB:5125

  Numero di elementi logici/celle:65600

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  Supporto programmabile della superficie di gate array del campo di rendimento elevato XC7K70T-2FBG676I

  Numero del pezzo:XC7K70T-2FBG676I

  Numero di I/O:300

  Montaggio del tipo:Supporto di superficie

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