La Cina Gate array programmabile del campo

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  Gate array programmabile 484-BGA del campo a bassa potenza di FPGA IC EP4CE40F23C8

  Numero del pezzo:EP4CE40F23C8

  Potere totale:1,5 W

  Consumo di energia di Manica:150 Mw

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  Field Programmable Gate Array A3P1000-FGG256I Programmable Logic IC 256-LBGA

  Numero del pezzo:A3P1000-FGG256I

  Portoni del sistema:15K a 1M

  Temperatura di giunzione:+125℃

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  Gate array programmabile del giacimento molle ottimale del BRACCIO del chip A3P250-FG144I del circuito integrato

  Numero del pezzo:A3P250-FG144I

  Portoni del sistema:15K a 1M

  temperatura di stoccaggio:– 65℃ a +150℃

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  Megahertz monochip di gate array programmabile del campo di 208-BFQFP A3P1000-PQG208I 350

  Numero del pezzo:A3P1000-PQG208I

  Portoni del sistema:15K a 1M

  Doppia porta SRAM:144 Kbits

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  Potere basso FPGAs del chip A3P250-FG256I del circuito integrato con il BRACCIO molle ottimale

  Numero del pezzo:A3P250-FG256I

  Prestazione di sistema:350 megahertz

  Portoni del sistema:15K a 1M

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  Pacchetto di FPGA IC 484-BGA di rendimento elevato del chip EP4CE30F23I7N del circuito integrato

  Numero del pezzo:EP4CE30F23I7N

  Carico utile:256-byte

  GEN di PCIe (TUBO):2,5 GBP

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  Gate array programmabile IC del campo di SAR di 12 bit del chip 10M08SAE144C8G del circuito integrato

  Numero del pezzo:10M08SAE144C8G

  Piccoli pacchetti:3 millimetri di × 3 millimetri

  SAR:12 bit

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  Gate array programmabile di FPGA IC EP4CE22F17I7N 256-LBGA del giacimento a bassa potenza del pacchetto

  numero del pezzo:EP4CE22F17i7N

  Tipo:FPGA IC

  Elementi di logica:6K a 150K

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  256-LBGA A3P1000-FG256I Field Programmable Gate Array swith Optional Soft ARM Support

  Numero del pezzo:A3P1000-FG256I

  La RDT:700 Mbps

  Portone del sistema:15 K - 1 m.

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  Gate array programmabile del campo a bassa potenza di FPGA IC EP3C5F256C8N del chip del circuito integrato

  Numero del pezzo:EP3C5F256C8N

  Laboratori:LABORATORIO 321

  Memoria:8 Mb

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  Gate array programmabile 144-LQFP del campo di FPGA IC EP3C5E144C8N di rendimento elevato

  Numero del pezzo:EP3C5E144C8N

  Nervosismo totale:2,5 GBP

  Parallelo passivo veloce:100MHz

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  Gate array programmabile IC 484-BGA del campo di potere basso di rendimento elevato EP4CE55F23C8N

  Numero del pezzo:EP4CE55F23C8N

  FIFO:47

  Parallelo attivo:33MHz

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