La Cina Chip IC di memoria

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  Chip MT29F2G08ABBGAH4-AAT del circuito integrato: G 63-VFBGA NAND Flash Memory Chips

  Numero della parte:MT29F2G08ABBGAH4-AAT: G

  Larghezza:Larghezza x8

  Organizzazione della memoria:256M x 8

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  Chip MT29F2G16ABBGAH4-AAT del circuito integrato: Chip di memoria paralleli 63-VFBGA di G 2Gbit

  Numero della parte:MT29F2G16ABBGAH4-AAT: G

  Dimensione:9mm x 11mm

  Tipo di montaggio:Montaggio superficiale

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  4Gbit parallelo MT29F4G08ABAFAWP-AAT: Chip di memoria di NAND Memory IC 48-TFSOP dell'ISTANTANEO di F

  Numero della parte:MT29F4G08ABAFAWP-AAT: F

  Serie:MT29F

  Stile di montaggio:SMD/SMT

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  NAND Flash Memory IC MT29F256G08CECEBJ4-37ITR: Chip 132-VBGA del circuito integrato di E

  Numero della parte:MT29F256G08CECEBJ4-37ITR: E

  Larghezza del canale omnibus di dati:bit 8

  Categoria di prodotto:FLASH NAND

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  Chip MT29F2G08ABAGAH4-AIT del circuito integrato: FLASH di G 2Gbit - NAND Memory IC

  Numero della parte:MT29F2G08ABAGAH4-AIT: G

  Tipo di memoria:Non volatili

  Formato di memoria:Flash

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  Memoria IC MT25QU512ABB1EW9-0SIT 512Mbit SPI chip del circuito integrato da 133 megahertz

  Numero della parte:MT25QU512ABB1EW9-0SIT

  Frequenza dell'orologio:133 megahertz

  Scrivere il tempo del ciclo - parola, pagina:8ms, 2.8ms

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  Chip MT29F1G08ABAFAWP-AAT del circuito integrato: Memoria parallela IC di F 1Gbit

  Numero della parte:MT29F1G08ABAFAWP-AAT: F

  Memoria:1Gbit

  Organizzazione della memoria:128M x 8

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  Chip MT25QL512ABB8ESF-0SIT 512Mbit SPI del circuito integrato una memoria IC di 133 megahertz

  Numero della parte:MT25QL512ABB8ESF-0SIT

  Tipo di memoria:Non volatili

  Formato di memoria:Flash

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  Chip MT29F8G08ABACAWP-AIT di IC: Supporto parallelo della superficie di IC di memoria 48-TSOP di C 8Gbit

  Numero della parte:MT29F8G08ABACAWP-AIT: C

  Tipo cronometrante:Asincrono

  Organizzazione:1 G x 8

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  Chip MT29F512G08CMCEBJ4-37ITR di IC: Memoria parallela IC 132-VBGA di E 267MHz 512Gbit

  Numero della parte:MT29F512G08CMCEBJ4-37ITR: E

  Tipo cronometrante:Asincrono, sincrono

  Velocità:533 MT/s

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  Circuiti integrati elettronici MT28EW01GABA1LPC-0 SIT Memory IC 64-LBGA

  Numero della parte:MT28EW01GABA1LPC-0SIT

  Memoria:1Gbit

  Interfaccia della memoria:Parallelamente

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  Chip MT29F2G08ABAGAWP-AAT di IC: Memoria flash parallela IC di G 2Gbit 20NS 48-TSOP

  Numero della parte:MT29F2G08ABAGAWP-AAT: G

  Voltaggio - Fornitura:2.7V ~ 3.6V

  Temperatura di funzionamento:-40°C ~ 105°C (TA)

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