La Cina Chip IC di memoria

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  Memoria IC 24-FBGA di Chip Integrated Circuit S80KS2563GABHV023 200 megahertz PSRAM

  Numero della parte:S80KS2563GABHV023

  Frequenza di clock:1,8 V

  Appoggio:°C 105

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  Memoria IC 256Mbit 24FBGA di Chip Pseudo SRAM del circuito integrato S80KS2562GABHI020

  Numero della parte:S80KS2562GABHI020

  (i) industriale:-40°C a +85°C

  Supporto dell'interfaccia:1,8 V/3,0 V

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  512Mbit SPI - pseudo SRAM memoria ottale IC 24-FBGA dell'ingresso/uscita 200MHz S80KS5123GABHI020

  Numero della parte:S80KS5123GABHI020

  Dimensione della memoria:512 Mbit

  Frequenza di clock massima:200 MHz

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  Memoria IC 24-VBGA del chip S27KS0642GABHM023 64Mbit HyperBus del circuito integrato

  Numero della parte:S27KS0642GABHM023

  Tecnologia:PSRAM (pseudo SRAM)

  Lo scoppio ha letto o scrive:30 mA

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  128Mbit chip 24-VBGA pseudo SRAM del circuito integrato del chip di memoria S70KS1282GABHV023

  Numero della parte:S70KS1282GABHV023

  Supporto dell'interfaccia:1,8 V/3,0 V

  Temperatura di funzionamento (min):-40°C (TUM)

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  I CI scheggiano la memoria di superficie IC del supporto di S27KS0642GABHB023 200 megahertz 35 NS 24-FBGA

  Numero della parte:S27KS0642GABHB023

  Tecnologia:38-nm DRAM

  DRAM:38-nm

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  Chip del chip di memoria VBGA24 IC del chip S70KL1282GABHB030 128Mbit del circuito integrato

  Numero della parte:S70KL1282GABHB030

  Lunghezze scoppiate avvolte:128 byte (64 orologi)

  Scoppio lineare:64 MB

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  Memoria ottale IC dell'ingresso/uscita 200MHz di Chip Integrated Circuit S80KS2563GABHI023 256Mbit SPI

  Numero della parte:S80KS2563GABHI023

  Programma:50

  Il DSR ha letto:50 MHz

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  chip di memoria del chip FBGA24 del circuito integrato di IC S80KS5123GABHV023 di memoria 512Mbit

  Numero della parte:S80KS5123GABHV023

  Interfaccia:interfaccia (ottale) del xSPI

  Gamma di temperatura di funzionamento - (i) industriale:– °C 40 a °C +85

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  Memoria IC di Chip Integrated Circuit S70KS1282GABHM023 128Mbit HyperBus 35ns

  Numero della parte:S70KS1282GABHM023

  Interfaccia della memoria:HyperBus

  Tecnologia:Pseudo SRAM

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  Pseudo SRAM memoria IC di IC Chip Surface Mount S80KS2563GABHI020 32MB 200MHz

  Numero della parte:S80KS2563GABHI020

  Lunghezze scoppiate avvolte:16 byte

  Più industriale:-40°C a +105°C

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  Memoria elettronica IC 512Mbit 24-FBGA dei circuiti integrati S26HS512TGABHI013

  Numero della parte:S26HS512TGABHI013

  Consumo corrente lettura /scrittura scoppiato:22mA/25mA

  Appoggio:µA 360

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