La Cina Chip IC di memoria

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  Chip Integrated Circuit MT53E512M32D1ZW-046 AUT: Memoria IC del SDRAM-cellulare di B

  Numero del pezzo:MT53E512M32D1ZW-046 AUT: B

  Tipo di memoria:Volatile

  Formato di memoria:DRAM

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  IC di memoria Chip MT41K64M16TW-107 AUT:J Automotive DDR3L SDRAM 96FBGA IC di memoria

  Numero della parte:MT41K64M16TW-107 AUT: J

  Tempo di accesso:20 ns

  Voltaggio - Fornitura:1.283V ~ 1.45V

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  SDRAM - DDR4 memoria IC MT40A4G8NEA-062E: F DDR4 32G 4GX8 FBGA DDP

  Numero del pezzo:MT40A4G8NEA-062E: F

  Categoria di prodotto:DRAM

  Tempo di Access:13,75 NS

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  PESO del chip MT53E512M32D1NP-046 del circuito integrato: MEMORIA DRAM di IC 200WFBGA IC di memoria di B

  Numero del pezzo:PESO MT53E512M32D1NP-046: B

  Pacchetto/caso:200-WFBGA

  Dimensione:10mm x 14.5mm

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  PESO di IC mobile MT62F1G64D8CH-031 di memoria LPDDR5 di SDRAM: Chip del circuito integrato di B BGA496

  Numero del pezzo:PESO MT62F1G64D8CH-031: B

  Capacità di memoria:64Gbit

  Organizzazione di memoria:1G x 64

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  Chip MT40A2G8SA-062E l'IT del circuito integrato: Chip di IC 78FBGA IC di memoria di F SDRAM DDR4

  Numero del pezzo:MT40A2G8SA-062E L'IT: F

  Dimensione:7.5mm x 11mm

  Scrivi il tempo del ciclo - Word, Page:15ns

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  Chip MT40A1G16TB-062E l'IT del circuito integrato: Chip di memoria di IC 96FBGA 16Gbit di memoria di F SDRAM DDR4

  Numero del pezzo:MT40A1G16TB-062E L'IT: F

  Tecnologia:SDRAM - DDR4

  Pseudo ingresso/uscita dello aperto scolo:1.2V

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  Chip MT40A1G16KH-062E AIT del circuito integrato: Memoria IC del gigahertz DRAM DDR4 di E 1,6

  Numero del pezzo:MT40A1G16KH-062E AIT: E

  Tipo:SDRAM - DDR4

  Larghezza del canale omnibus di dati:bit 16

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  Memoria del chip 512Mb DRAM del circuito integrato S80KS5122GABHA023 con l'interfaccia di HYPERBUS

  Numero della parte:S80KS5122GABHA023

  Interfaccia della memoria:HyperBus

  Frequenza dell'orologio:200 MHz

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  Memoria IC MT40A512M16LY-062E AAT di SDRAM DDR4: Parallelo del chip 8Gbit del circuito integrato di E

  Numero del pezzo:MT40A512M16LY-062E AAT: E

  Tensione - rifornimento:1.14V ~ 1.26V

  Formato di memoria:DRAM

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  Supporto di superficie di IC 64Mbit 24-VBGA di memoria di S27KS0642GABHV020 DRAM HyperRAM

  Numero della parte:S27KS0642GABHV020

  Tensione di rifornimento - massima:2 V

  Tensione di rifornimento - min:1,7 V

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  Memoria Chips Self Refresh DRAM 24-FBGA 64Mbit HyperBus di S27KS0642GABHI033 200MHz

  Numero della parte:S27KS0642GABHI033

  Organizzazione della memoria:8M x 8

  Larghezza di banda dell'interfaccia:400 MByte/s

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