La Cina Chip IC di memoria

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  Chip di memoria IC S70KS1282GABHA020 High-Speed CMOS Self-Refresh DRAM Memory IC

  Quantità di ordine minimo:10

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  Imballaggi particolari:Pacchetto standard

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  IC di memoria Chip KHBAC4A03D-MC1H High Performance 24G HBM3 Icebolt DRAM IC di memoria

  Quantità di ordine minimo:10

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  Imballaggi particolari:Pacchetto standard

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  IC di memoria Chip KHBA84A03C-MC1H High Performance HBM3 Icebolt 16G DRAM IC di memoria

  Quantità di ordine minimo:10

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  Imballaggi particolari:Pacchetto standard

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  Chip di memoria IC K4U8E3S4AD-GHCL 8Gbit LPDDR4X DRAM Memoria IC IC per dispositivi mobili

  Quantità di ordine minimo:10

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  Imballaggi particolari:Pacchetto standard

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  IC di memoria Chip K4U6E3S4AA-MGCL 16Gb LPDDR4X DRAM IC di memoria FBGA-200

  Quantità di ordine minimo:10

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  Imballaggi particolari:Pacchetto standard

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  Chip di memoria IC K4U8E3S4AD-GUCL 8Gbit DRAM IC di memoria IC per dispositivi mobili

  Quantità di ordine minimo:10

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  Imballaggi particolari:Pacchetto standard

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  Chip di memoria IC K3UH5H50AM-JGCL 32Gbit LPDDR4X DRAM IC di memoria per dispositivi mobili

  Quantità di ordine minimo:10

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  Imballaggi particolari:Pacchetto standard

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  IC di memoria Chip MT53E2G32D4DE-046 AUT C LPDDR4X IC di memoria 64Gbit Parallelo 2,133 GHz 3,5 ns 200-TFBGA

  Quantità di ordine minimo:10

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  Tempi di consegna:3-5 giorni lavorativi

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  Chip IC di memoria MT53E1G32D2FW-046 AAT A 32Gbit Parallel SDRAM Mobile LPDDR4X IC di memoria 2.133 GHz

  Quantità di ordine minimo:10

  Imballaggi particolari:Pacco standard

  Tempi di consegna:3-5 giorni lavorativi

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  IC di memoria Chip MT53E2G32D4DE-046 AIT A SDRAM-Mobile LPDDR4X IC di memoria 2.133 GHz 3.5 ns 64Gbit parallelo

  Quantità di ordine minimo:10

  Imballaggi particolari:Pacco standard

  Tempi di consegna:3-5 giorni lavorativi

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  I CI scheggiano MT53E512M32D1ZW-046 AAT: Memoria IC del SDRAM-cellulare LPDDR4X di B 16Gbit

  Numero del pezzo:MT53E512M32D1ZW-046 AAT: B

  Tecnologia:SDRAM - LPDDR4X mobile

  Scrivi il tempo del ciclo - Word, Page:18ns

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  Chip di memoria IC MT53E256M32D2FW-046 WT:B 8Gbit parallelo LPDDR4X IC di memoria VFBGA-200

  numero della parte:MT3T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2

  Organizzazione:256 m. x 32

  Temperatura minima di funzionamento:-25°C (TC)

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