MT53E512M32D1ZW-046 WT: B Memoria IC Chip 16GBIT Dynamic Access Random Access Memory IC

Chip IC di memoria
March 25, 2025
Connessione Categoria: Chip IC di memoria
Brief: Scopri l'MT53E512M32D1ZW-046 WT:B Memory IC Chip, un IC di memoria dinamica ad accesso casuale ad alta velocità da 16Gbit, ideale per applicazioni avanzate,Questa DRAM CMOS dispone di un'organizzazione di memoria 512M x 32 e di preamboli strobe programmabiliScopri di più sulle sue specifiche e sui suoi benefici in questo video.
Related Product Features:
  • IC di memoria ad accesso casuale dinamico a 16 Gbit ad alta velocità con organizzazione di memoria 512 M x 32.
  • Configurato internamente come DRAM a 16 banche (4 banche per gruppo bancario) per prestazioni efficienti.
  • Preamboli programmabili per lo strobo dati per una migliore sincronizzazione dei dati.
  • Inversione del bus dati (DBI) per una migliore efficienza del bus dati.
  • Funziona a una tensione compresa tra 1,06 e 1,17 V per un'efficienza energetica elevata.
  • Interfaccia di memoria parallela per velocità di trasferimento dati elevate.
  • Scrivere il tempo di ciclo di 18 ns per operazioni rapide.
  • La tecnologia CMOS garantisce prestazioni affidabili e a basso consumo.
FAQ:
  • I vostri prodotti sono originali?
    Sì, tutti i prodotti sono originali, e nuova importazione originale è il nostro scopo.
  • Quali certificati possiedi?
    Siamo un'azienda certificata ISO 9001:2015 e membro di ERAI.
  • Puoi supportare ordini di piccole quantità o campioni? Il campione è gratuito?
    Sì, supportiamo ordini di campioni e piccoli ordini.
  • Come spedite gli ordini e sono sicuri?
    Utilizziamo spedizioni espresse come DHL, FedEx, UPS, TNT o EMS. I prodotti sono confezionati in modo sicuro e garantiamo la sicurezza, assumendo la responsabilità di eventuali danni.
  • Qual è il tempo di consegna degli ordini?
    Le parti in magazzino vengono spedite entro 5 giorni lavorativi. Per gli articoli non in magazzino, confermiamo il tempo di consegna in base alla quantità dell'ordine.