STGW80H65DFB circuito integrato chip trench gate field-stop alta velocità HB serie IGBT transistor

Chip del circuito integrato
May 29, 2025
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Introducendo il chip di circuito integrato STGW80H65DFB, un transistor IGBT della serie HB ad alta velocità, con una tensione di rottura collettore-emettitore di 650V e una corrente massima di 120A,garantisce un'efficienza ottimale con basse perdite di conduzione e di commutazione. Questo componente conforme a RoHS è ideale per inverter fotovoltaici e convertitori ad alta frequenza.

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