Introducendo il chip di circuito integrato STGW80H65DFB, un transistor IGBT della serie HB ad alta velocità, con una tensione di rottura collettore-emettitore di 650V e una corrente massima di 120A,garantisce un'efficienza ottimale con basse perdite di conduzione e di commutazione. Questo componente conforme a RoHS è ideale per inverter fotovoltaici e convertitori ad alta frequenza.