La Cina Chip del circuito integrato

Chip dei transistor 1200V IC del MOSFET di N-Manica dei transistor NTBG014N120M3P TO-263-8

Numero del pezzo:NTBG014N120M3P

Palladio - dissipazione di potere:454 W

Perdite di commutazione basse:Tipo. EONE 1331 J a 74 A, 800 V
Chip di circuito integrato AONS62922 120V 85A Transistor MOSFET a canale N DFN8

Numero della parte:AONS62922

Vds:120 V

Identificazione (a VGS=10V):85A
Chip di circuito integrato DMWS120H100SM4 1200V 208W Transistor MOSFET a canale N

Quantità di ordine minimo:10

Prezzo:Contact for Sample

Imballaggi particolari:Pacchetto standard
Chip di circuito integrato XPQR3004PB 40V 400A Transistor MOSFET a canale N di silicio

Quantità di ordine minimo:10

Prezzo:Contact for Sample

Imballaggi particolari:Pacchetto standard
Chip di circuito integrato NTH4L014N120M3P 1200V 686W Transistori MOSFET al carburo di silicio

Quantità di ordine minimo:10

Prezzo:Contact for Sample

Imballaggi particolari:Pacchetto standard
Chip di circuito integrato ISC060N10NM6ATMA1 Single N Channel MOSFET Transistor 8PowerTDFN

Quantità di ordine minimo:10

Prezzo:Contact for Sample

Imballaggi particolari:Pacchetto standard
Chip di circuito integrato NVH4L015N065SC1 Transistor MOSFET a carburo di silicio a canale N

Quantità di ordine minimo:10

Prezzo:Contact for Sample

Imballaggi particolari:Pacchetto standard
Chip di circuito integrato ISC080N10NM6ATMA1 19nC 100V 75A 1 canale MOSFET Transistor

Quantità di ordine minimo:10

Prezzo:Contact for Sample

Imballaggi particolari:Pacchetto standard
Chip di circuito integrato NVH4L045N065SC1 MOSFET al carburo di silicio

Quantità di ordine minimo:10

Prezzo:Contact for Sample

Imballaggi particolari:Pacchetto standard
Chip di circuito integrato NVH4L075N065SC1 38A 148W Transistor MOSFET al carburo di silicio

Quantità di ordine minimo:10

Prezzo:Contact for Sample

Imballaggi particolari:Pacchetto standard
Transistor del MOSFET di N-Manica del chip SCT4062KEC11 del circuito integrato attraverso il foro

Numero del pezzo:SCT4062KEC11

Tecnologia:SiCFET (carburo di silicio)

Tipo del FET:N-Manica
Transistor elettronici del MOSFET dei circuiti integrati SCT3040KRC14 attraverso il foro

Numero del pezzo:SCT3040KRC14

Vuoti a tensione di fonte (Vdss):1200 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C:55A (TC)

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