La Cina Chip del circuito integrato

Transistor del MOSFET di N-Manica del chip 1200V del circuito integrato di TO-247-4 SCT4018KRC15

Numero del pezzo:SCT4018KRC15

RDS (sopra) (tipo.):18mΩ

Tipo del FET:N-Manica
Del circuito integrato del chip SCT4026DEC11 TO-247-3 di N-Manica transistor del MOSFET sic

Numero del pezzo:SCT4026DEC11

RDS (sopra) (tipo.):26mΩ

Intervallo di temperatura di conservazione:-40°C a +175°C
FETs dei transistor LFPAK56 del MOSFET della fossa di P-Manica dei transistor BUK6Y33-60PX singoli

Numero del pezzo:BUK6Y33-60PX

Vgs - tensione di Portone-fonte:- 20 V, + 20 V

Polarità del transistor:P-Manica
Chip LFPAK56 del circuito integrato dei transistor BUK6Y24-40PX del MOSFET della fossa di P-Manica

Numero del pezzo:BUK6Y24-40PX

Montaggio dello stile:SMD/SMT

Numero dei canali:1 canale
Transistor LFPAK56 del MOSFET di modo di potenziamento di P-Manica dei transistor BUK6Y19-30PX

Numero del pezzo:BUK6Y19-30PX

Pacchetto/caso:LFPAK56, Power-SO8

Serie:Automobilistico, AEC-Q101, TrenchMOS™
Transistor LFPAK56 del MOSFET della fossa di P-Manica del chip BUK6Y10-30PX 30V del circuito integrato

Numero del pezzo:BUK6Y10-30PX

Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @:3V @ 250µA

Palladio - dissipazione di potere:110 W
chip LFPAK56 del circuito integrato dei transistor BUK7Y7R0-40HX del MOSFET di N-Manica 40V

Numero del pezzo:BUK7Y7R0-40HX

Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On):10V

Tempo di caduta:4,4 n
Supporto della superficie dei transistor LFPAK88 del MOSFET di N-Manica dei transistor BUK7S1R5-40HJ 40V

Numero del pezzo:BUK7S1R5-40HJ

Tipo del transistor:1 canale N

Pacchetto del dispositivo del fornitore:LFPAK88 (SOT1235)
Transistor doppi BUK9K52-60 RAX Integrated Circuit Chip LFPAK56D del MOSFET di N-Manica

Numero del pezzo:BUK9K52-60RAX

Pacchetto/caso:LFPAK-56D-8

Tecnologia:Si
Chip doppio del circuito integrato dei transistor BUK9K25-40RAX LFPAK56D del MOSFET di N-Manica

Numero del pezzo:BUK9K25-40RAX

Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds:701pF @ 25V

Temperatura di funzionamento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Chip singolo del circuito integrato dei transistor BUK9M31-60ELX LFPAK33 del MOSFET di N-Manica

Numero del pezzo:BUK9M31-60ELX

Th di Vgs - tensione della soglia di Portone-fonte:2,05 V

Vgs - tensione di Portone-fonte:- 10 V, + 10 V
60V singoli chip dei transistor LFPAK56 IC del MOSFET di N-Manica dei transistor BUK9Y22-60ELX

Numero del pezzo:BUK9Y22-60ELX

Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs:48 nC @ 10 V

Vgs (massimo):±10V

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FETs dei transistor LFPAK56 del MOSFET della fossa di P-Manica dei transistor BUK6Y33-60PX singoli

Chip LFPAK56 del circuito integrato dei transistor BUK6Y24-40PX del MOSFET della fossa di P-Manica

Transistor LFPAK56 del MOSFET di modo di potenziamento di P-Manica dei transistor BUK6Y19-30PX

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Supporto della superficie dei transistor LFPAK88 del MOSFET di N-Manica dei transistor BUK7S1R5-40HJ 40V

Transistor doppi BUK9K52-60 RAX Integrated Circuit Chip LFPAK56D del MOSFET di N-Manica

Chip doppio del circuito integrato dei transistor BUK9K25-40RAX LFPAK56D del MOSFET di N-Manica

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