La Cina Chip del circuito integrato

singolo chip TO-268-3 del circuito integrato dei diodi MSC050SDA120S dei raddrizzatori 1200V

Numero del pezzo:MSC050SDA120S

Tensione inversa massima di CC:1200V

Tecnologia:Sic (carburo di silicio) Schottky
diodi TO-247-2 dei raddrizzatori del chip MSC030SDA120B del circuito integrato 30A singoli

Numero del pezzo:MSC030SDA120B

Corrente di andata massimo di CC TC = °C 25:60A

Pacchetto/caso:TO-247-2
diodi dei raddrizzatori di Schottky MSC030SDA120K TO-220-2 del carburo di silicio 70A singoli

Numero del pezzo:MSC030SDA120K

Capacità @ Vr, F:141pF @ 400V, 1MHz

Montaggio del tipo:Attraverso il foro
I raddrizzatori scelgono i diodi del chip TO-220-2 49A del circuito integrato dei diodi MSC020SDA120K

Numero del pezzo:MSC020SDA120K

Tipo:I raddrizzatori scelgono i diodi

Tecnologia:Sic (carburo di silicio) Schottky
Diodi TO-247 dei raddrizzatori di Schottky 1200V del carburo di silicio dei diodi MSC015SDA120B singoli

Numero del pezzo:MSC015SDA120B

Corrente di andata massima di CC (TC = °C) 145:14A

Potenza dissipata (TC = 25 °C):167W
Raddrizzatori a diodo del chip IDK02G120C5XTMA1 1200V 11.8A del circuito integrato

Numero del pezzo:IDK02G120C5XTMA1

Se - corrente di andata:2 A

Configurazione:Singolo
Supporto di superficie dei raddrizzatori a diodo del chip IDK08G120C5XTMA1 del circuito integrato singolo

Numero del pezzo:IDK08G120C5XTMA1

Velocità:Nessun tempo di recupero > 500mA (Io)

Corrente - perdita inversa @ Vr:µA 40 @ 1200 V
raddrizzatori a diodo di superficie del supporto IDK16G120C5XTMA1 di 1200V 40A singoli TO-263-3

Numero del pezzo:IDK16G120C5XTMA1

Io (FSM) massimo:140 A

SE massimo:16 A
Tramite raddrizzatori a diodo di Schottky del carburo del foro IDWD15G120C5XKSA1 Silicion i singoli

Numero del pezzo:IDWD15G120C5XKSA1

Vr - Tensione inversa:1,2 kV

RthJC:0,8 K/W
Diodi TO-263-3 dei raddrizzatori di Schottky AIDK12S65C5ATMA1 650V del carburo di silicio singoli

Numero del pezzo:AIDK12S65C5ATMA1

Ir - Corrente inversa:70 uA

Pacchetto del dispositivo del fornitore:PG-TO263-2
La singola automobile dei diodi TO-263-2 dei raddrizzatori FFSB0865B-F085 scheggia il diodo Schottky 650V

Numero del pezzo:FFSB0865B-F085

Tempo di recupero inverso (trr):0 n

Dissipazione di potere (TC = 150°C):12W
L'automobile scheggia diodo Schottky dei diodi 650V 8A dei raddrizzatori di FFSB0665B-F085 TO-263-2 il singolo

Numero del pezzo:FFSB0665B-F085

Valanga valutata:24,5 mJ

Max Junction Temperature:175°C

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singolo chip TO-268-3 del circuito integrato dei diodi MSC050SDA120S dei raddrizzatori 1200V

diodi TO-247-2 dei raddrizzatori del chip MSC030SDA120B del circuito integrato 30A singoli

diodi dei raddrizzatori di Schottky MSC030SDA120K TO-220-2 del carburo di silicio 70A singoli

I raddrizzatori scelgono i diodi del chip TO-220-2 49A del circuito integrato dei diodi MSC020SDA120K

Diodi TO-247 dei raddrizzatori di Schottky 1200V del carburo di silicio dei diodi MSC015SDA120B singoli

Raddrizzatori a diodo del chip IDK02G120C5XTMA1 1200V 11.8A del circuito integrato

Supporto di superficie dei raddrizzatori a diodo del chip IDK08G120C5XTMA1 del circuito integrato singolo

raddrizzatori a diodo di superficie del supporto IDK16G120C5XTMA1 di 1200V 40A singoli TO-263-3

Tramite raddrizzatori a diodo di Schottky del carburo del foro IDWD15G120C5XKSA1 Silicion i singoli

Diodi TO-263-3 dei raddrizzatori di Schottky AIDK12S65C5ATMA1 650V del carburo di silicio singoli

La singola automobile dei diodi TO-263-2 dei raddrizzatori FFSB0865B-F085 scheggia il diodo Schottky 650V

L'automobile scheggia diodo Schottky dei diodi 650V 8A dei raddrizzatori di FFSB0665B-F085 TO-263-2 il singolo

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