La Cina Chip del circuito integrato

L'automobile dei diodi FFSB10120A-F085 scheggia diodi TO-263-3 dei raddrizzatori di 1200V 21A i singoli

Numero del pezzo:FFSB10120A-F085

Corrente di andata rettificata continua @ TC < 164°C:10A

Singola energia della valanga di impulso:100mJ
Chip dell'automobile dei diodi TO-247-2 dei raddrizzatori a diodo del carburo di silicio FFSH20120A-F085 singoli

Numero del pezzo:FFSH20120A-F085

Corrente - media rettificata (Io):30A

Tempo di recupero inverso (trr):0 n
La singola automobile dei diodi dei raddrizzatori scheggia il diodo Schottky di FFSH2065B-F085 TO-247-2 650V

Numero del pezzo:FFSH2065B-F085

Max Junction Temperature:175°C

Singola energia della valanga di impulso:94 mJ
L'automobile FFSH4065BDN-F085 scheggia i singoli diodi TO-247-3 dei raddrizzatori 650V attraverso il foro

Numero del pezzo:FFSH4065BDN-F085

Tempo di recupero inverso (trr):0 n

Velocità:Nessun tempo di recupero > 500mA (Io)
Chip di circuito integrato DCG45X1200NA Modulo 1200V 22A Diodi rettificatori

Quantità di ordine minimo:10

Prezzo:Contact for Sample

Imballaggi particolari:Pacchetto standard
Chip di circuito integrato FFSH4065ADN-F155 650V 22A Diodi rettificatori SiC Schottky

Quantità di ordine minimo:10

Prezzo:Contact for Sample

Imballaggi particolari:Pacco standard
Chip di circuito integrato STPSC10H12GY Diodi rettificatori per automobili 1200V 10A

Quantità di ordine minimo:10

Prezzo:Contact for Sample

Imballaggi particolari:Pacco standard
MSC025SMA120B4N Chip di circuito integrato 1200V 25mΩ Transistor N-Channel SiC MOSFET

Quantità di ordine minimo:10

Prezzo:Contact for Sample

Imballaggi particolari:Pacco standard
MSC060SMA070SCT Chip di circuito integrato 700V 60mΩ Transistor N-Channel SiC MOSFET

Quantità di ordine minimo:10

Prezzo:Contact for Sample

Imballaggi particolari:Pacco standard
MSC060SMA070SDT Chip di circuito integrato 700V 51A Transistor MOSFET SiC a canale N

Quantità di ordine minimo:10

Prezzo:Contact for Sample

Imballaggi particolari:Pacco standard
MSC080SMA120SCT Chip di circuito integrato 1200V 80mΩ Transistor N-Channel SiC MOSFET

Quantità di ordine minimo:10

Prezzo:Contact for Sample

Imballaggi particolari:Pacco standard
MSC080SMA330B4N Chip di circuito integrato 3300V 80mΩ Transistor N-Channel SiC MOSFET

Quantità di ordine minimo:10

Prezzo:Contact for Sample

Imballaggi particolari:Pacco standard

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La singola automobile dei diodi dei raddrizzatori scheggia il diodo Schottky di FFSH2065B-F085 TO-247-2 650V

L'automobile FFSH4065BDN-F085 scheggia i singoli diodi TO-247-3 dei raddrizzatori 650V attraverso il foro

Chip di circuito integrato DCG45X1200NA Modulo 1200V 22A Diodi rettificatori

Chip di circuito integrato FFSH4065ADN-F155 650V 22A Diodi rettificatori SiC Schottky

Chip di circuito integrato STPSC10H12GY Diodi rettificatori per automobili 1200V 10A

MSC025SMA120B4N Chip di circuito integrato 1200V 25mΩ Transistor N-Channel SiC MOSFET

MSC060SMA070SCT Chip di circuito integrato 700V 60mΩ Transistor N-Channel SiC MOSFET

MSC060SMA070SDT Chip di circuito integrato 700V 51A Transistor MOSFET SiC a canale N

MSC080SMA120SCT Chip di circuito integrato 1200V 80mΩ Transistor N-Channel SiC MOSFET

MSC080SMA330B4N Chip di circuito integrato 3300V 80mΩ Transistor N-Channel SiC MOSFET

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