La Cina Chip del circuito integrato

Singolo IGBTs chip del circuito integrato dei transistor TO-247-3 dei transistor IXBX50N360HV

Numero del pezzo:IXBX50N360HV

Tempo di recupero inverso (trr):1,7 µs

Temperatura di funzionamento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Del circuito integrato singoli IGBTs transistor TO-247-3 del chip IXBH32N300 attraverso il foro

Numero del pezzo:IXBH32N300

Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima):3000 V

Corrente - collettore (CI) (massimo):80 A
Circuiti integrati elettronici IXYX50N170C 1700V 178A 1500W tramite i transistor del foro

Numero del pezzo:IXYX50N170C

Corrente - collettore (CI) (massimo):178 A

Corrente - collettore pulsato (Icm):460 A
Singoli IGBT transistor elettronici dei circuiti integrati IXYA30N120A4HV 106A

Numero del pezzo:IXYA30N120A4HV

Configurazione:Singolo

Palladio - dissipazione di potere:500 W
Singoli transistor IXYX40N250CHV TO-247-3 di IGBT attraverso il chip del circuito integrato del foro

Numero del pezzo:IXYX40N250CHV

Corrente - collettore pulsato (Icm):380 A

Energia di commutazione:11.7mJ (sopra), 6.9mJ (fuori)
Chip del circuito integrato di arresto di campo della fossa dei transistor RGT40TS65DGC13 IGBT TO-247-3

Numero del pezzo:RGT40TS65DGC13

Palladio - dissipazione di potere:144 w

Corrente di andata del diodo (TC = 25°C):35A
Transistor TO-220-3 10kHz singolo IGBTs del chip IXYP60N65A5 650V IGBT del circuito integrato

Numero del pezzo:IXYP60N65A5

Serie:XPT™, GenX5™

Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI:1.35V @ 15V, 36A
Transistor di IGBTs del supporto di superficie del chip IXBT14N300HV del circuito integrato singoli

Numero del pezzo:IXBT14N300HV

Palladio - dissipazione di potere:200 W

Tecnologia:Si
chip del circuito integrato dei transistor TO-247-3 dei transistor 650V singolo IGBTs IXXX140N65B4H1

Numero del pezzo:IXXX140N65B4H1

Tipo di prodotto:Transistor IGBT

Palladio - dissipazione di potere:1,2 Kw
Alta tensione del chip 2500V del circuito integrato dei transistor IXYH16N250CV1HV TO-247-3 di IGBTs

Numero del pezzo:IXYH16N250CV1HV

Resistenza d'ingresso del portone:5.8Ω

Carico induttivo premuto:1500V
Chip di superficie del supporto IXYA20N120A4HV TO-263-3 IC dei singoli transistor di IGBTs

Numero del pezzo:IXYA20N120A4HV

Peso specifico:2,500 g

Tipo introdotto:Norma
singoli IGBTs IXYH55N120A4 transistor discreti a semiconduttore di 1200V 175A

Numero del pezzo:IXYH55N120A4

Tipo di IGBT:Pinta

Stato del prodotto:Attivo

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Transistor di IGBTs del supporto di superficie del chip IXBT14N300HV del circuito integrato singoli

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