La Cina Chip del circuito integrato

Transistor TO-247-4 dei MOSFETs del carburo di silicio del chip NVH4L060N090SC1 del circuito integrato

Numero del pezzo:NVH4L060N090SC1

Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs:87 nC @ 15 V

Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @:4.3V @ 5mA
Singolo chip del circuito integrato dei transistor di potenza 1200V di N-Manica NVHL040N120SC1 sic

Numero del pezzo:NVHL040N120SC1

Th di Vgs - tensione della soglia di Portone-fonte:4,3 V

Palladio - dissipazione di potere:348 W
Singoli transistor dei MOSFETs di N-Manica di superficie del supporto BSC050N10NS5ATMA1 100V

Numero del pezzo:BSC050N10NS5ATMA1

Dissipazione di potere:3W (tum), 136W (TC)

Temperatura di funzionamento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Pacchetto del MOSFET N-CH 30V 300A 8HSOF del chip IPT004N03LATMA1 del circuito integrato

Numero del pezzo:IPT004N03LATMA1

Tipo del FET:N-Manica

Tecnologia:MOSFET (ossido di metallo)
Tipo di superficie 100V 90A del supporto del MOSFET di potere di N-Manica del transistor IPD068N10N3GATMA1

Numero del pezzo:IPD068N10N3GATMA1

Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @:3.5V @ 90µA

Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs:68 nC @ 10 V
Transistor dei MOSFETs del supporto di superficie di P-Manica 100V 38A di AUIRF5210STRL singoli

Numero del pezzo:AUIRF5210STRL

Temperatura di funzionamento:-55°C ~ 150°C (TJ)

Altezza:2,3 millimetri
N-Manica 650V 32A del chip IPW65R075CFD7AXKSA1 di IC tramite i transistor del foro

Numero del pezzo:IPW65R075CFD7AXKSA1

Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs:68 nC @ 10 V

Dissipazione di potere (massima):171W (TC)
il N-Manica 80V sorge il chip del circuito integrato dei transistor IPT019N08N5ATMA1 del supporto

Numero del pezzo:IPT019N08N5ATMA1

Resistenza su di Scolo-fonte di RDS:1,9 mOhms

Tempo di caduta:17 NS
Transistor del supporto della superficie di N-Manica del chip IPL60R225CFD7AUMA1 del circuito integrato

Numero del pezzo:IPL60R225CFD7AUMA1

Numero dei canali:1 canale

Vds - tensione di ripartizione di Scolo-fonte:600 V
Transistor di P-Manica 40V 180A del chip IPB180P04P403ATMA2 del circuito integrato

Numero del pezzo:IPB180P04P403ATMA2

Vgs (massimo):±20V

Temperatura di funzionamento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Singoli transistor dei MOSFETs di IC Chip Through Hole TO-247-3 IMW65R072M1HXKSA1

Numero del pezzo:IMW65R072M1HXKSA1

Dissipazione di potere (massima):96W (TC)

Temperatura di funzionamento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Supporto di superficie dei transistor IPB65R115CFD7AATMA1 TO-263-3 di N-Manica 650V 21A 114W

Numero del pezzo:IPB65R115CFD7AATMA1

Tensione di controllo:10V

Vuoti a tensione di fonte:650 V

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Transistor dei MOSFETs del supporto di superficie di P-Manica 100V 38A di AUIRF5210STRL singoli

N-Manica 650V 32A del chip IPW65R075CFD7AXKSA1 di IC tramite i transistor del foro

il N-Manica 80V sorge il chip del circuito integrato dei transistor IPT019N08N5ATMA1 del supporto

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