La Cina Chip del circuito integrato

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  Chip di circuito integrato IPT039N15N5 OptiMOSTM 5 potenza MOSFET 150V Transistor

  Quantità di ordine minimo:10

  Prezzo:Contact for Sample

  Imballaggi particolari:Pacchetto standard

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  Capo di circuito integrato GAN039-650NBBHP 650V Transistor FET al nitruro di gallio CCPAK1212

  Quantità di ordine minimo:10

  Prezzo:Contact for Sample

  Imballaggi particolari:Pacchetto standard

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  Chip di circuito integrato BSC014N06NSSC 60V 261A Modulo di potenziamento Transistor singolo

  Quantità di ordine minimo:10

  Prezzo:Contact for Sample

  Imballaggi particolari:Pacchetto standard

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  ICW50N65WR5 chip di circuito integrato 650V 50A singoli transistor IGBT TO-247-3

  Numero della parte:IKW50N65WR5

  Peso unitario:6.047 g

  corrente di perdita dell'Portone-emettitore:Na 100

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  IXTP160N10T circuito integrato chip N-Channel Enhancement Mode 100V 160A Potenza MOSFET transistor

  Numero della parte:IXTP160N10T

  Tipo di FET:Canale N

  Tecnologia:MOSFET (ossido di metallo)

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  BSC026N08NS5 Chip di circuito integrato 80V OptiMOSTM 5 Potenza MOSFET Transistor

  Numero della parte:BSC026N08NS5

  Tecnologia:Si

  Polarità del transistor:Canale N

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  IPB100N04S4-H2 Chip di circuito integrato 40V OptiMOS-T2 Transistor MOSFET per automobili

  Numero della parte:IPB100N04S4-H2

  Polarità del transistor:Canale N

  Vds - tensione di ripartizione di Scolo-fonte:40 V

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  IPDD60R050G7 Chip di circuito integrato 600V MOSFET di potenza N-Channel Transistor HDSOP-10

  Numero della parte:IPDD60R050G7

  Polarità del transistor:Canale N

  Vds - tensione di ripartizione di Scolo-fonte:600 V

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  IPB042N10N3G Chip di circuito integrato 100V OptiMOSTM Power MOSFET Transistor TO-263-3

  Numero della parte:IPB042N10N3G

  Serie:OptiMOS™

  Tipo di FET:Canale N

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  IPP051N15N5 Chip di circuito integrato 150V MOSFET di potenza N-Channel Transistor TO-220-3

  Numero della parte:IPP051N15N5

  Altezza:15.65 mm

  Distanze:10 mm

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  SPA11N80C3 Chip di circuito integrato CoolMOS MOSFET di potenza N-Channel Transistors TO-220FP-3 Package

  Numero della parte:SPA11N80C3

  Vds - Tensione di rottura drain-source::800 V

  Id - Corrente di scarico continua::11 A

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  IAUT165N08S5N029 Chip di circuito integrato 80V 2.9 mΩ Transistor OptiMOSTM-5 MOSFET per automobili

  Numero della parte:IAUT165N08S5N029

  Polarità del transistor::Canale N

  Numero dei canali::1 canale

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