La Cina Chip del circuito integrato

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  STW35N60DM2 Chip di circuito integrato 600V 28A Transistor MOSFET di potenza N-Channel

  Numero della parte:STW35N60DM2

  Polarità del transistor:Canale N

  Vds - tensione di ripartizione di Scolo-fonte:600 V

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  Chip di circuito integrato IPT60R035CFD7 109nC 351W Potenza MOSFET Transistor HSOF8

  Quantità di ordine minimo:10

  Prezzo:Contact for Sample

  Imballaggi particolari:Pacco standard

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  BSC010N04LST chip di circuito integrato OptiMOSTM 5 canale N di potenza MOSFET transistor TDSON-8

  Numero della parte:BSC010N04LST

  Polarità del transistor::Canale N

  Numero dei canali::1 canale

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  IPW60R120P7 Chip di circuito integrato 600V MOSFET di potenza N-Channel Transistor TO-247-3

  Numero della parte:IPW60R120P7

  Polarità del transistor::Canale N

  Numero dei canali::1 canale

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  STGB19NC60KDT4 chip di circuito integrato 20A 600V cortocircuito transistor IGBT robusto

  Numero della parte:STGB19NC60KDT4

  Configurazione::Non sposato

  Voltaggio VCEO Max del collettore-emittente::600 V

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  IKA15N60T chip di circuito integrato 600V 15A IGBT Transistor TO-220-3 pacchetto

  Numero della parte:IKA15N60T

  Configurazione::Non sposato

  Voltaggio VCEO Max del collettore-emittente::600 V

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  IPC100N04S5-1R9 Chip di circuito integrato 40V OptiMOSTM-5 Transistor MOSFET per automobili

  Numero della parte:IPC100N04S5-1R9

  Tecnologia:Si

  Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):40 V

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  ICW40N65H5 chip di circuito integrato ad alta velocità 650V 40A IGBT transistor TO-247-3

  Numero della parte:IKW40N65H5

  Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max):650 V

  Corrente - Collettore (Ic) (Max):74 A

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  BSC0901NSI Chip di circuito integrato 30V 100A Transistor MOSFET a potenza di canale N

  Numero della parte:BSC0901NSI

  Polarità del transistor::Canale N

  Numero dei canali::1 canale

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  IGW30N60H3 chip di circuito integrato 600V 30A singoli transistor IGBT TO-247

  Quantità di ordine minimo:10

  Prezzo:Contact for Sample

  Imballaggi particolari:Pacco standard

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  IGW20N60H3 chip di circuito integrato ad alta velocità 600V 20A IGBT transistor TO-247-3

  Numero della parte:IGW20N60H3

  Configurazione::Non sposato

  Voltaggio VCEO Max del collettore-emittente::600 V

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  A2T27S020GNR1 Chip di circuito integrato N-Channel Enhancement Mode Potenza RF Transistor LDMOS

  Numero della parte:A2T27S020GNR1

  Vds - Tensione di rottura drain-source::65 V

  Frequenza operativa::400 MHz a 2,7 GHz

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