La Cina Chip del circuito integrato

Chip di circuito integrato IKB30N65ES5ATMA1 IGBT ad alta velocità Trench Field Stop 650V Transistor

Minimum Order Quantity:10

Prezzo:Contact for Sample

Imballaggi particolari:Pacchetto standard
Chip di circuito integrato IKQ40N120CH3XKSA1 1200V 80A 500W IGBT singoli transistor TO-247-3

Minimum Order Quantity:10

Prezzo:Contact for Sample

Imballaggi particolari:Pacchetto standard
Chip di circuito integrato FCH104N60F-F085 Automotive N-Channel 600V 37A Transistor TO-247-3

Quantità di ordine minimo:10

Prezzo:Contact for Sample

Imballaggi particolari:Pacchetto standard
Chip di circuito integrato RGS50TSX2GC11 IGBT Trench Field Stop 1200V 50A 395W Transistor

Minimum Order Quantity:10

Prezzo:Contact for Sample

Packaging Details:Standard package
Chip di circuito integrato IKW20N60TFKSA1 Transistor IGBT ad alta velocità TO-247-3

Quantità di ordine minimo:10

Prezzo:Contact for Sample

Imballaggi particolari:Pacchetto standard
Chip di circuito integrato IMZ120R030M1HXKSA1 1200V 56A Transistor al carburo di silicio TO-247-4

Quantità di ordine minimo:10

Prezzo:Contact for Sample

Imballaggi particolari:Pacchetto standard
Crittografia di circuito integrato UF3C065080K3S Transistor FET SiC con potenziamento TO-247-3

Quantità di ordine minimo:10

Prezzo:Contact for Sample

Imballaggi particolari:Pacchetto standard
Crittografia di circuito integrato UF3C065080T3S Transistori FET SiC a potenziamento N-Channel

Quantità di ordine minimo:10

Prezzo:Contact for Sample

Imballaggi particolari:Pacchetto standard
Chip di circuito integrato UJ3C065080K3S 31A Transistor FET SiC con potenziamento TO-247-3

Quantità di ordine minimo:10

Prezzo:Contact for Sample

Imballaggi particolari:Pacchetto standard
Chip di circuito integrato UJ3C065080T3S 650V 31A Transistor FET SiC a canale N TO-220-3

Quantità di ordine minimo:10

Prezzo:Contact for Sample

Imballaggi particolari:Pacchetto standard
IPW60R017C7 Chip di circuito integrato 600V MOSFET N-Channel Transistor TO-247-3

Numero del pezzo:IPW60R017C7

Vgs (massimo):±20V

Dissipazione di potere (massima):446W (Tc)
Chip di circuito integrato IPW65R150CFDA attraverso il buco 650V Power MOSFET Transistor

Quantità di ordine minimo:10

Prezzo:Contact for Sample

Imballaggi particolari:Pacco standard

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Chip di circuito integrato RGS50TSX2GC11 IGBT Trench Field Stop 1200V 50A 395W Transistor

Chip di circuito integrato IKW20N60TFKSA1 Transistor IGBT ad alta velocità TO-247-3

Chip di circuito integrato IMZ120R030M1HXKSA1 1200V 56A Transistor al carburo di silicio TO-247-4

Crittografia di circuito integrato UF3C065080K3S Transistor FET SiC con potenziamento TO-247-3

Crittografia di circuito integrato UF3C065080T3S Transistori FET SiC a potenziamento N-Channel

Chip di circuito integrato UJ3C065080K3S 31A Transistor FET SiC con potenziamento TO-247-3

Chip di circuito integrato UJ3C065080T3S 650V 31A Transistor FET SiC a canale N TO-220-3

IPW60R017C7 Chip di circuito integrato 600V MOSFET N-Channel Transistor TO-247-3

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