La Cina Chip del circuito integrato

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  IRFH5215TRPBF chip di circuito integrato 150V StrongIRFETTM Power MOSFET transistor

  Numero della parte:IRFH5215TRPBF

  Polarità del transistor:Canale N

  Vds - tensione di ripartizione di Scolo-fonte:150 V

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  IPB60R045P7 Chip di circuito integrato 600V Transistor MOSFET di potenza N-Channel

  Numero della parte:IPB60R045P7

  Temperatura di funzionamento:-55 °C - 150 °C

  Pacco:PG-TO263-3

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  IPA60R099P7 Chip di circuito integrato MOSFET di potenza N-Channel Transistor PG-TO220-3

  Numero della parte:IPA60R099P7

  Temperatura di funzionamento:-55 °C - 150 °C

  Pacco:PG-TO220-3

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  SPD06N80C3 Chip di circuito integrato 800V CoolMOS Power MOSFET Transistor TO-252-3

  Numero della parte:SPD06N80C3

  Vds - Tensione di rottura drain-source::800 V

  Id - Corrente di scarico continua::6 A

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  STW35N60DM2 Chip di circuito integrato 600V 28A Transistor MOSFET di potenza N-Channel

  Numero della parte:STW35N60DM2

  Polarità del transistor:Canale N

  Vds - tensione di ripartizione di Scolo-fonte:600 V

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  Chip di circuito integrato IPT60R035CFD7 109nC 351W Potenza MOSFET Transistor HSOF8

  Quantità di ordine minimo:10

  Prezzo:Contact for Sample

  Imballaggi particolari:Pacco standard

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  BSC010N04LST chip di circuito integrato OptiMOSTM 5 canale N di potenza MOSFET transistor TDSON-8

  Numero della parte:BSC010N04LST

  Polarità del transistor::Canale N

  Numero dei canali::1 canale

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  IPW60R120P7 Chip di circuito integrato 600V MOSFET di potenza N-Channel Transistor TO-247-3

  Numero della parte:IPW60R120P7

  Polarità del transistor::Canale N

  Numero dei canali::1 canale

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  STGB19NC60KDT4 chip di circuito integrato 20A 600V cortocircuito transistor IGBT robusto

  Numero della parte:STGB19NC60KDT4

  Configurazione::Non sposato

  Voltaggio VCEO Max del collettore-emittente::600 V

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  IKA15N60T chip di circuito integrato 600V 15A IGBT Transistor TO-220-3 pacchetto

  Numero della parte:IKA15N60T

  Configurazione::Non sposato

  Voltaggio VCEO Max del collettore-emittente::600 V

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  IPC100N04S5-1R9 Chip di circuito integrato 40V OptiMOSTM-5 Transistor MOSFET per automobili

  Numero della parte:IPC100N04S5-1R9

  Tecnologia:Si

  Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):40 V

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  ICW40N65H5 chip di circuito integrato ad alta velocità 650V 40A IGBT transistor TO-247-3

  Numero della parte:IKW40N65H5

  Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max):650 V

  Corrente - Collettore (Ic) (Max):74 A

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