La Cina Chip del circuito integrato

Transistor elettronici dei MOSFETs di N-Manica 8A dei circuiti integrati IPP60R065S7XKSA1

Numero del pezzo:IPP60R065S7XKSA1

Tipo del FET:N-Manica

Stato del prodotto:Attivo
Transistor discreti dei MOSFETs dei prodotti a semiconduttori IPDQ60R040S7XTMA1

Numero del pezzo:IPDQ60R040S7XTMA1

Tecnologia:Si

Canali:1
Supporto di superficie dei transistor elettronici dei circuiti integrati IPDQ60R022S7XTMA1

Numero del pezzo:IPDQ60R022S7XTMA1

Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @:4.5V @ 1.44mA

Temperatura di funzionamento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor di N-Manica del carburo di silicio del MOSFET del chip NTH4L020N090SC1 484W di IC

Numero del pezzo:NTH4L020N090SC1

Tecnologia:SiCFET (carburo di silicio)

Tipo del FET:N-Manica
Transistor di superficie di N-Manica del supporto 8-HPSOF del chip NVBLS001N06C 60V 51A di IC

Numero del pezzo:NVBLS001N06C

Identificazione - corrente continua dello scolo:422 A

Temperatura di funzionamento massima:+ 175 C
Transistor di N-Manica 1200V 31A del chip NTHL080N120SC1A del circuito integrato

Numero del pezzo:NTHL080N120SC1A

RDS sopra:110mOhm

Vgs:4.3V
Transistor di N-Manica 1200V 68A di Chip Integrated Circuit NVH4L022N120M3S

Numero del pezzo:NVH4L022N120M3S

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C:68A (TC)

Tensione di controllo:18V
Transistor elettronici di N-Manica dei MOSFETs dei circuiti integrati NTBLS1D1N08H

Numero del pezzo:NTBLS1D1N08H

RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs:1.05mOhm @ 50A, 10V

Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds:11200 PF @ 40 V
Transistor del carburo di silicio del MOSFET di Chip Integrated Circuit NTBG080N120SC1

Numero del pezzo:NTBG080N120SC1

Tensione di Drain−to−Source:1200 V

Tensione di Gate−to−Source:−15/+25 V
Transistor di superficie del supporto 12-WQFN di matrice 40V 15A del Mosfet di NTTFD4D0N04HLTWG

Numero del pezzo:NTTFD4D0N04HLTWG

Tecnologia:MOSFET (ossido di metallo)

Configurazione:2 N-Manica (doppi)
Sic N-Manica 1200V 60A 348W del MOSFET NTHL040N120SC1 attraverso il foro TO-247-3

Numero del pezzo:NTHL040N120SC1

Tipo del FET:N-Manica

Tecnologia:SiCFET (carburo di silicio)
MOSFET del chip NVMTS0D7N04CTXG del circuito integrato – singolo N-Manica di potere 40 V 0.67m 420A

Numero del pezzo:NVMTS0D7N04CTXG

Categoria di prodotto:MOSFET

RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs:0.67mOhm @ 50A, 10V

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