La Cina Chip del circuito integrato

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  Pacchetto elettronico dei transistor TO-247-3 dei circuiti integrati IXYH85N120C4 IGBT

  Numero del pezzo:IXYH85N120C4

  Peso:6 g

  Temperatura di funzionamento:-55°C ~ 175°C (TJ)

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  chip TO-247-3 del circuito integrato dei transistor IXYX110N120A4 di 1200V IGBT attraverso il foro

  Numero del pezzo:IXYX110N120A4

  Condizione di prova:600V, 50A, 1.5Ohm, 15V

  Pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-247 (IXTH)

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  Singolo IGBTs chip del circuito integrato dei transistor 1200V di TO-263-3 IXYA20N120B4HV

  Numero del pezzo:IXYA20N120B4HV

  Pacchetto/caso:TO-263HV-3

  Serie:GenX4™, XPT™

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  singoli IGBTs IXYH55N120A4 transistor discreti a semiconduttore di 1200V 175A

  Numero del pezzo:IXYH55N120A4

  Tipo di IGBT:Pinta

  Stato del prodotto:Attivo

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  Chip di superficie del supporto IXYA20N120A4HV TO-263-3 IC dei singoli transistor di IGBTs

  Numero del pezzo:IXYA20N120A4HV

  Peso specifico:2,500 g

  Tipo introdotto:Norma

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  Alta tensione del chip 2500V del circuito integrato dei transistor IXYH16N250CV1HV TO-247-3 di IGBTs

  Numero del pezzo:IXYH16N250CV1HV

  Resistenza d'ingresso del portone:5.8Ω

  Carico induttivo premuto:1500V

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  chip del circuito integrato dei transistor TO-247-3 dei transistor 650V singolo IGBTs IXXX140N65B4H1

  Numero del pezzo:IXXX140N65B4H1

  Tipo di prodotto:Transistor IGBT

  Palladio - dissipazione di potere:1,2 Kw

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  Transistor di IGBTs del supporto di superficie del chip IXBT14N300HV del circuito integrato singoli

  Numero del pezzo:IXBT14N300HV

  Palladio - dissipazione di potere:200 W

  Tecnologia:Si

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  Transistor TO-220-3 10kHz singolo IGBTs del chip IXYP60N65A5 650V IGBT del circuito integrato

  Numero del pezzo:IXYP60N65A5

  Serie:XPT™, GenX5™

  Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI:1.35V @ 15V, 36A

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  Chip del circuito integrato di arresto di campo della fossa dei transistor RGT40TS65DGC13 IGBT TO-247-3

  Numero del pezzo:RGT40TS65DGC13

  Palladio - dissipazione di potere:144 w

  Corrente di andata del diodo (TC = 25°C):35A

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  Singoli transistor IXYX40N250CHV TO-247-3 di IGBT attraverso il chip del circuito integrato del foro

  Numero del pezzo:IXYX40N250CHV

  Corrente - collettore pulsato (Icm):380 A

  Energia di commutazione:11.7mJ (sopra), 6.9mJ (fuori)

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  Singoli IGBT transistor elettronici dei circuiti integrati IXYA30N120A4HV 106A

  Numero del pezzo:IXYA30N120A4HV

  Configurazione:Singolo

  Palladio - dissipazione di potere:500 W

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