La Cina Chip del circuito integrato

Chip IKY75N120CH7XKSA1 IGBT del circuito integrato con il diodo antiparallelo TO-247-4

Numero del pezzo:IKY75N120CH7XKSA1

Corrente - collettore (CI) (massimo):83 A

Massimo elettrico:549 W
L'automobile FFSP1065B-F085 scheggia il diodo Schottky del raddrizzatore del carburo di silicio di TO-220-2 650V

Numero del pezzo:FFSP1065B-F085

Tensione - inverso di CC (Vr) (massimo):650 V

Tensione - di andata (Vf) (massimo) @ se:1,7 V @ 10 A
L'automobile FFSH5065B-F085 scheggia il diodo Schottky del carburo di silicio di TO-247-2 50A 650V

Numero del pezzo:FFSH5065B-F085

Pacchetto/caso:TO-247-2

Temperatura di funzionamento - giunzione (min):-55°C
l'automobile 1200V scheggia il supporto della superficie del diodo Schottky 32A di FFSB20120A-F085 TO-263

Numero del pezzo:FFSB20120A-F085

Singola energia della valanga di impulso:200mJ

Dissipazione di potere (TC = 25°C):333W
chip dell'automobile del diodo Schottky TO-263-3 del carburo di silicio di 20A FFSB2065B-F085

Numero del pezzo:FFSB2065B-F085

Capacità @ Vr, F:866pF @ 1V, 100kHz

Temperatura di funzionamento - giunzione (min):-55°C
Chip di circuito integrato IKQ120N60T Transistor IGBT con diodo anti-parallelo nel pacchetto TO-247

Quantità di ordine minimo:10

Prezzo:Contact for Sample

Imballaggi particolari:Pacco standard
Chip di circuito integrato IHW20N120R5 1200V 20A Transistor IGBT con diodo anti-parallelo

Quantità di ordine minimo:10

Prezzo:Contact for Sample

Imballaggi particolari:Pacco standard
Chip di circuito integrato IKZA75N65SS5 650V 75A IGBT discreto con diodo Schottky al carburo di silicio

Quantità di ordine minimo:10

Prezzo:Contact for Sample

Imballaggi particolari:Pacco standard
Chip di circuito integrato IKB40N65ES5ATMA1 Transistor IGBT ad alta velocità con diodo anti-parallelo

Quantità di ordine minimo:10

Prezzo:Contact for Sample

Imballaggi particolari:Pacco standard
Chip di circuito integrato IGB50N65S5ATMA1 650V 50A Transistor IGBT con diodo anti-parallelo

Quantità di ordine minimo:10

Prezzo:Contact for Sample

Imballaggi particolari:Pacco standard
Chip di circuito integrato IKD15N60RC2ATMA1 IGBT Transistor discreti con azionamento di conduzione inversa 2-diodo

Quantità di ordine minimo:10

Prezzo:Contact for Sample

Imballaggi particolari:Pacco standard
Transistori IGBT con diodo reverso conduttore integrato monolitico

Quantità di ordine minimo:10

Prezzo:Contact for Sample

Imballaggi particolari:Pacco standard

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L'automobile FFSH5065B-F085 scheggia il diodo Schottky del carburo di silicio di TO-247-2 50A 650V

l'automobile 1200V scheggia il supporto della superficie del diodo Schottky 32A di FFSB20120A-F085 TO-263

chip dell'automobile del diodo Schottky TO-263-3 del carburo di silicio di 20A FFSB2065B-F085

Chip di circuito integrato IKQ120N60T Transistor IGBT con diodo anti-parallelo nel pacchetto TO-247

Chip di circuito integrato IHW20N120R5 1200V 20A Transistor IGBT con diodo anti-parallelo

Chip di circuito integrato IKZA75N65SS5 650V 75A IGBT discreto con diodo Schottky al carburo di silicio

Chip di circuito integrato IKB40N65ES5ATMA1 Transistor IGBT ad alta velocità con diodo anti-parallelo

Chip di circuito integrato IGB50N65S5ATMA1 650V 50A Transistor IGBT con diodo anti-parallelo

Chip di circuito integrato IKD15N60RC2ATMA1 IGBT Transistor discreti con azionamento di conduzione inversa 2-diodo

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