La Cina Chip IC di memoria

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  Chip S25FL512SAGMFMR10 512Mbit SPI - memoria IC di IC dell'ingresso/uscita 133 megahertz 16-SOIC del quadrato

  Numero della parte:S25FL512SAGMFMR10

  Organizzazione della memoria:64M x 8

  Frequenza dell'orologio:133 megahertz

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  FLASH del chip MTFC8GAMALGT-AAT 64Gbit del circuito integrato - NAND Memory IC

  Numero del pezzo:MTFC8GAMALGT-AAT

  Capacità di memoria:64 GB

  Tipo di memoria:Non volatile

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  Chip S25FL064LABMFV010 64Mbit SPI - memoria IC del circuito integrato dell'ingresso/uscita del quadrato

  Numero della parte:S25FL064LABMFV010

  Frequenza dell'interfaccia:108MHz/54MHz

  Larghezza del canale omnibus di dati:bit 8

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  Circuiti integrati elettronici S25FL128LAGNFI010 128Mbit SPI - memoria IC dell'ingresso/uscita del quadrato

  Numero della parte:S25FL128LAGNFI010

  Rivestimento della palla del cavo:Matte Tin Plating

  Impiegati di punta di riflusso:°C 260

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  Chip MT29F2G08ABAEAWP-AATX del circuito integrato: E NAND Flash Memory automobilistico IC

  Numero del pezzo:MT29F2G08ABAEAWP-AATX: E

  Gamma di tensione di funzionamento – VCC:2.7V-3.6V

  Capacità di memoria:2Gbit

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  Chip del chip di memoria 8-WDFN IC del chip CY15B102QN-50LHXI 50MHz FRAM del circuito integrato

  Numero della parte:CY15B102QN-50LHXI

  Organizzazione:256 K x 8

  Stile di montaggio:SMD/SMT

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  Chip 250MHz del circuito integrato del chip di memoria CY7C1514KV18-250BZXI 165-FBGA di QDR II

  Numero della parte:CY7C1514KV18-250BZXI

  Dimensione della memoria:72 Mbit

  Organizzazione:2 M x 36

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  Pacchetto di Chip Memory IC S25HS01GTDPMHA010 133 megahertz 16-SOIC del circuito integrato

  Numero della parte:S25HS01GTDPMHA010

  Densità:MBit 1024

  Larghezza di banda dell'interfaccia:66 MByte/s

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  Pacchetto di IC 24-FBGA di memoria del chip S25HS512TFABHM010 512Mbit SPI 166MHz di IC

  Numero della parte:S25HS512TFABHM010

  Tecnologia:FLASH - NÉ (SLC)

  Voltaggio - Fornitura:1.7V ~ 2V

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  Chip S25FL064LABMFV011 64Mbit SPI - memoria IC del circuito integrato dell'ingresso/uscita del quadrato

  Numero del pezzo:S25FL064LABMFV011

  Frequenza di clock:108 megahertz

  Tensione - rifornimento:2.7V ~ 3.6V

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  Chip MT29F4G08ABBDAHC-IT del circuito integrato: D 4Gbit NAND Flash Memory parallelo IC

  Numero del pezzo:MT29F4G08ABBDAHC-IT: D

  Temperatura di funzionamento:-40°C ~ 85°C (TUM)

  Tecnologia:FLASH - NAND

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  Del circuito integrato S70KL1283GABHB023 pseudo SRAM chip di memoria del chip 24-FBGA

  Numero della parte:S70KL1283GABHB023

  Temperatura di funzionamento:-40°C ~ 105°C (TA)

  Singolo orologio concluso (CK):11 segnale del bus

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