La Cina Chip IC di memoria

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  Chip MT29F4G08ABADAWP-AATX del circuito integrato: D 48-TFSOP NAND Flash Memory Chips

  Numero della parte:MT29F4G08ABADAWP-AATX: D

  Corrente del rifornimento - massima:35 mA

  Larghezza del canale omnibus di dati:bit 8

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  Chip MT29F2G08ABBEAH4-AITX del circuito integrato: Chip di memoria flash paralleli di E 2Gbit

  Numero della parte:MT29F2G08ABBEAH4-AITX: E

  Tipo di prodotto:Memoria flash NAND

  Organizzazione:256 m. x 8

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  63-VFBGA MT29F2G16ABBGAH4-AIT: Chip del circuito integrato di G NAND Flash Memory IC 2Gbit

  Numero della parte:MT29F2G16ABBGAH4-AIT: G

  Tipo cronometrante:Asincrono

  Tensione di rifornimento - massima:1,95 V

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  SLC NAND Flash Memory IC MT29F4G16ABBFAH4-AAT: Chip 63-VFBGA del circuito integrato di F

  Numero della parte:MT29F4G16ABBFAH4-AAT: F

  Densità:4 GB

  Codice di FBGA:NX100

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  Chip MT29F2G08ABBGAH4-AAT del circuito integrato: G 63-VFBGA NAND Flash Memory Chips

  Numero della parte:MT29F2G08ABBGAH4-AAT: G

  Larghezza:Larghezza x8

  Organizzazione della memoria:256M x 8

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  Chip MT29F2G16ABBGAH4-AAT del circuito integrato: Chip di memoria paralleli 63-VFBGA di G 2Gbit

  Numero della parte:MT29F2G16ABBGAH4-AAT: G

  Dimensione:9mm x 11mm

  Tipo di montaggio:Montaggio superficiale

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  4Gbit parallelo MT29F4G08ABAFAWP-AAT: Chip di memoria di NAND Memory IC 48-TFSOP dell'ISTANTANEO di F

  Numero della parte:MT29F4G08ABAFAWP-AAT: F

  Serie:MT29F

  Stile di montaggio:SMD/SMT

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  NAND Flash Memory IC MT29F256G08CECEBJ4-37ITR: Chip 132-VBGA del circuito integrato di E

  Numero della parte:MT29F256G08CECEBJ4-37ITR: E

  Larghezza del canale omnibus di dati:bit 8

  Categoria di prodotto:FLASH NAND

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  Chip MT29F2G08ABAGAH4-AIT del circuito integrato: FLASH di G 2Gbit - NAND Memory IC

  Numero della parte:MT29F2G08ABAGAH4-AIT: G

  Tipo di memoria:Non volatili

  Formato di memoria:Flash

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  Memoria IC MT25QU512ABB1EW9-0SIT 512Mbit SPI chip del circuito integrato da 133 megahertz

  Numero della parte:MT25QU512ABB1EW9-0SIT

  Frequenza dell'orologio:133 megahertz

  Scrivere il tempo del ciclo - parola, pagina:8ms, 2.8ms

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  Chip MT29F1G08ABAFAWP-AAT del circuito integrato: Memoria parallela IC di F 1Gbit

  Numero della parte:MT29F1G08ABAFAWP-AAT: F

  Memoria:1Gbit

  Organizzazione della memoria:128M x 8

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  Chip MT25QL512ABB8ESF-0SIT 512Mbit SPI del circuito integrato una memoria IC di 133 megahertz

  Numero della parte:MT25QL512ABB8ESF-0SIT

  Tipo di memoria:Non volatili

  Formato di memoria:Flash

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