La Cina Chip IC di memoria

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  Chip di memoria IC S70KS1282GABHA023 200MHz Pseudo SRAM Memoria IC 24-FBGA

  Numero della parte:S70KS1282GABHA023

  Tensione di rifornimento (min):1.7V

  Temperatura di funzionamento (min):-40°C (TUM)

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  Del circuito integrato S80KS2562GABHA023 pseudo SRAM memoria IC del chip 24-VBGA 256Mbit

  Numero della parte:S80KS2562GABHA023

  Tecnologia:25-nm DRAM

  Gamma di temperatura di funzionamento - industriale più (v):– °C 40 a °C +105

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  Chip di memoria 24-FBGA del chip 128Mbit PSRAM del circuito integrato S70KS1282GABHV020

  Numero della parte:S70KS1282GABHV020

  Corrente del rifornimento - massima:60 mA

  Tempo di accesso:35 ns

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  Chip di memoria IC S70KL1283GABHV020 128Mbit Pseudo SRAM Memoria IC 24-FBGA IC Chip

  Numero della parte:S70KL1283GABHV020

  Rivestimento della palla del cavo:N/A

  Interfacce:xSPI (ottale)

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  Chip di memoria IC S27KS0642GABHB020 24-FBGA Pseudo SRAM Memoria IC 200MHz

  Numero della parte:S27KS0642GABHB020

  Organizzazione della memoria:8M x 8

  Larghezza di banda dell'interfaccia:400 MByte/s

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  Memoria IC 24-FBGA del chip PSRAM del circuito integrato S27KS0643GABHA023

  Numero della parte:S27KS0643GABHA023

  Impiegati di punta di riflusso:°C 260

  Interfaccia della memoria:SPI - Ingresso/uscita ottale

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  S70KL1282GABHB020 IC scheggia lo pseudo SRAM supporto di superficie di IC 24-FBGA di memoria di 128Mbit

  Numero della parte:S70KL1282GABHB020

  Scrivere il tempo del ciclo - parola, pagina:35ns

  Supporto dell'interfaccia:1,8 V/3,0 V

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  Pseudo pacchetto di IC 64Mbit HyperBus S27KL0642GABHI030 24-FBGA di memoria di SRAM

  Numero della parte:S27KL0642GABHI030

  Tecnologia:PSRAM (pseudo SRAM)

  Tipo di memoria:Volatile

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  S80KS2563GABHM023 CI scheggiano la memoria automobilistica IC di 256MBit 1.8V PSRAM in 24 FBGA

  Numero della parte:S80KS2563GABHM023

  Categoria di prodotto:DRAM

  Tecnologia:PSRAM (pseudo SRAM)

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  SRAM - Memoria sincrona IC 36Mbit 133MHz parallelo di DSR di CY7C1441KV33-133AXI

  Numero della parte:CY7C1441KV33-133AXI

  Tempo di accesso:6,5 NS

  Voltaggio - Fornitura:3.135V ~ 3.6V

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  Memoria elettronica IC dei circuiti integrati S70KS1283GABHB020 200MHz 35ns PSRAM

  Numero della parte:S70KS1283GABHB020

  Segnali del bus:11

  Canale omnibus di dati:8 bit

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  MT29F2G08ABAGAWP-ITE asincrono: FLASH parallelo NAND Memory IC 48-TFSOP di G 2Gbit

  Numero della parte:MT29F2G08ABAGAWP-ITE: G

  Casuale colto:25µs

  Programma della pagina:300µs (TIPO)

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