Numero della parte:S70KL1282GABHV020
Serie:HyperRAM™ chilolitro
Tipo di memoria:Volatile
Numero della parte:S80KS2563GABHB020
Organizzazione della memoria:32M x 8
Scrivere il tempo del ciclo - parola, pagina:35ns
Numero della parte:S70KS1283GABHA023
Larghezza di banda dell'interfaccia:400 MByte/s
Frequenza dell'interfaccia (SDR/DDR) (megahertz):- /200
Numero della parte:S27KS0642GABHV023
Dimensione della memoria:4Mbit
Tecnologia:38-nm DRAM
Numero della parte:S27KL0642GABHI033
Interfacce:HyperBus
In profondità spenga (CS# = VCC = 2,0 V, 105°C):µA 12
Numero della parte:S70KL1282GABHB033
Umidità sensibile:- Sì, sì.
Supporto dell'interfaccia:1.8V
Numero della parte:S70KS1282GABHA023
Tensione di rifornimento (min):1.7V
Temperatura di funzionamento (min):-40°C (TUM)
Numero della parte:S80KS2562GABHA023
Tecnologia:25-nm DRAM
Gamma di temperatura di funzionamento - industriale più (v):– °C 40 a °C +105
Numero della parte:S70KS1282GABHV020
Corrente del rifornimento - massima:60 mA
Tempo di accesso:35 ns
Numero della parte:S70KL1283GABHV020
Rivestimento della palla del cavo:N/A
Interfacce:xSPI (ottale)
Numero della parte:S27KS0642GABHB020
Organizzazione della memoria:8M x 8
Larghezza di banda dell'interfaccia:400 MByte/s
Numero della parte:S27KS0643GABHA023
Impiegati di punta di riflusso:°C 260
Interfaccia della memoria:SPI - Ingresso/uscita ottale