La Cina Chip del circuito integrato

H2PAK-7 transistor di superficie del carburo di silicio di N-Manica del supporto SCTH90N65G2V-7

Numero del pezzo:SCTH90N65G2V-7

Tipo del FET:N-Manica

Identificazione - corrente continua dello scolo:90 A
Il chip TO-263-7L del circuito integrato dei transistor SCT4026DW7HRTL di N-Manica sic alimenta il MOSFET

Numero del pezzo:SCT4026DW7HRTL

Polarità del transistor:N-Manica

Vds - tensione di ripartizione di Scolo-fonte:750 V
Transistor D2PAK-7 28mOhm di N-Manica del chip NVBG020N090SC1 del circuito integrato singoli

Numero del pezzo:NVBG020N090SC1

Tempo di ritardo d'apertura tipico:39 NS

Tipo del transistor:1 canale N
Chip TW070J120B, transistor TO-3P-3 del circuito integrato dei MOSFETs di N-Manica di S1Q

Numero del pezzo:TW070J120B, S1Q

Alta tensione:VDSS = 1200 V

Tensione di Portone-fonte:+25V/-10V
Transistor TO-247-3 TW015N120C, transistor 1200V dei MOSFETs dei FETs di N-Manica di S1F singoli

Numero del pezzo:TW015N120C, S1F

Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On):18V

Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs:158 nC @ 18 V
Carburo di silicio MOS Transistors TW107N65C, chip di N-Manica TO-247-3 650V IC di S1F

Numero del pezzo:TW107N65C, S1F

Qg - tassa del portone:28 nC

Vgs - tensione di Portone-fonte:-10V, +25V
Chip TW027N65C, carburo del circuito integrato di silicio dei transistor TO-247-3 di N-Manica di S1F

Numero del pezzo:TW027N65C, S1F

Categoria di prodotto:MOSFET

Numero dei canali:1 canale
MOSFET 650V 100A 20mOhm del carburo di silicio del Automobilistico-grado dei transistor SCTW100N65G2AG

Numero del pezzo:SCTW100N65G2AG

Tipo del FET:N-Manica

Tecnologia:SiCFET (carburo di silicio)
tipo 40 A del MOSFET 650V 18mOhm di potere del carburo di silicio del MOSFET di 8-PowerVDFN SCTL90N65G2V

Numero del pezzo:SCTL90N65G2V

Tecnologia:SIC

Polarità del transistor:N-Manica
Transistor dei MOSFETs di N-Manica 1200V del chip SCT30N120H del circuito integrato singoli

Numero del pezzo:SCT30N120H

Tecnologia:SiCFET (carburo di silicio)

Tensione di controllo:20V
1200V MOSFET di potere del carburo di silicio di N-Manica del MOSFET SCTWA50N120 attraverso il foro HiP247

Numero del pezzo:SCTWA50N120

Resistenza su di Scolo-fonte di RDS:52 mOhms

Vgs - tensione di Portone-fonte:-10V, +25V
Chip TW060N120C, carburo del circuito integrato di silicio dei transistor TO-247-3 di N-Manica di S1F

Numero del pezzo:TW060N120C, S1F

Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs:46 nC @ 18 V

Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds:1530 PF @ 800 V

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tipo 40 A del MOSFET 650V 18mOhm di potere del carburo di silicio del MOSFET di 8-PowerVDFN SCTL90N65G2V

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