La Cina Chip del circuito integrato

Transistor TO-247-3 di N-Manica del MOSFET di potere del chip SCTW40N120G2VAG del circuito integrato

Numero del pezzo:SCTW40N120G2VAG

Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On):18V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C:33A (TC)
Transistor TO-247-3 di N-Manica del carburo di silicio SCTWA30N120 attraverso il foro

Numero del pezzo:SCTWA30N120

Vds - tensione di ripartizione di Scolo-fonte:1,2 chilovolt

Resistenza su di Scolo-fonte di RDS:100 mOhms
650V metropolitana TO-263-8 del MOSFET del carburo di silicio dei transistor IMBG65R083M1HXTMA1 singola

Numero del pezzo:IMBG65R083M1HXTMA1

Tecnologia:SIC

Montaggio dello stile:SMD/SMT
Transistor dei MOSFETs di N-Manica 650V del chip IMBG65R107M1HXTMA1 del circuito integrato

Numero del pezzo:IMBG65R107M1HXTMA1

Serie:CoolSIC™ M1

Tipo del FET:N-Manica
Chip TO-263-8 del circuito integrato dei transistor IMBG65R039M1HXTMA1 del carburo di silicio

Numero del pezzo:IMBG65R039M1HXTMA1

RDS (acceso) (@ Tj = 25°C):mΩ 39

VDS max:650 V
Transistor di N-Manica del chip BSZ100N06LS3GATMA1 8-PowerVDFN 60V del circuito integrato

Numero del pezzo:BSZ100N06LS3GATMA1

QG (tipo @10V):34 nC

Vuoti a tensione di fonte (Vdss):60 V
Transistor 8-PowerTDFN dei MOSFETs di potere di N-Manica dei transistor BSC004NE2LS5ATMA1

Numero del pezzo:BSC004NE2LS5ATMA1

pacchetto:SuperSO8 5x6

QG (tipo @4.5V):135 nC
Chip del circuito integrato del transistor di potenza 8-PowerTDFN di N-Manica BSC100N06LS3GATMA1

Numero del pezzo:BSC100N06LS3GATMA1

QG (tipo @10V):2600 PF

Vuoti a tensione di fonte (Vdss):200 A
Transistor automobilistici TO-252-3 dei MOSFETs del grado di N-Manica IPD35N10S3L26ATMA1 100V

Numero del pezzo:IPD35N10S3L26ATMA1

Tecnologia:OptiMOS™-T

RthJC (massimo):2,1 K/W
chip 8-PowerTDFN del circuito integrato dei transistor BSZ100N03MSGATMA1 dei MOSFETs 30V

Numero del pezzo:BSZ100N03MSGATMA1

Modo di Manica:Potenziamento

Serie:OptiMOS 3M
Transistor di N-Manica 650V 39A IMW65R048M1HXKSA1 del chip del circuito integrato singoli

Numero del pezzo:IMW65R048M1HXKSA1

Tipo del FET:N-Manica

Stato del prodotto:Attivo
Supporto di superficie dei transistor IPB65R115CFD7AATMA1 TO-263-3 di N-Manica 650V 21A 114W

Numero del pezzo:IPB65R115CFD7AATMA1

Tensione di controllo:10V

Vuoti a tensione di fonte:650 V

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Chip TO-263-8 del circuito integrato dei transistor IMBG65R039M1HXTMA1 del carburo di silicio

Transistor di N-Manica del chip BSZ100N06LS3GATMA1 8-PowerVDFN 60V del circuito integrato

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