La Cina Chip del circuito integrato

singolo chip del circuito integrato dei transistor SCTW70N120G2V dei MOSFETs di 1200V 91A

Numero del pezzo:SCTW70N120G2V

Tensione della soglia di Portone-fonte:4,9 V

Qg - tassa del portone:150 nC
Transistor di N-Manica 153W del chip SCT20N120AG del circuito integrato attraverso il foro

Numero del pezzo:SCT20N120AG

RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs:239mOhm @ 10A, 20V

Vgs (massimo):+25V, -10V
Transistor elettronici di N-Manica dei circuiti integrati SCTW35N65G2VAG attraverso il foro

Numero del pezzo:SCTW35N65G2VAG

Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds:1370 PF @ 400 V

Temperatura di funzionamento:-55°C ~ 200°C (TJ)
Transistor TW083N65C, chip TO-247-3 del carburo di silicio di N-Manica del circuito integrato di S1F

Numero del pezzo:TW083N65C, S1F

Categoria di prodotto:MOSFET

Qg - tassa del portone:21 nC
Chip TW140N120C, singolo N-Manica del circuito integrato dei transistor TO-247-3 dei FETs di S1F

Numero del pezzo:TW140N120C, S1F

Vds - tensione di ripartizione di Scolo-fonte:1,2 chilovolt

Montaggio dello stile:Attraverso il foro
Transistor di superficie del supporto 650V 45A del chip SCTH35N65G2V-7AG del circuito integrato

Numero del pezzo:SCTH35N65G2V-7AG

Modo di Manica:Potenziamento

Configurazione:Singolo
Singoli transistor di superficie di N-Manica 650V 45A 208W del supporto SCTH35N65G2V-7

Numero del pezzo:SCTH35N65G2V-7

VDSS:650 V

Tensione di controllo:18V, 20V
Transistor del supporto della superficie di N-Manica del chip SCTH40N120G2V-7 del circuito integrato

Numero del pezzo:SCTH40N120G2V-7

Temperatura di funzionamento:-55°C ~ 175°C (TJ)

Th di Vgs - tensione della soglia di Portone-fonte:5 V
Transistor TO-247-3 di N-Manica del chip SCT10N120AG 1200V 12A del circuito integrato

Numero del pezzo:SCT10N120AG

Temperatura di funzionamento minima:- 55 C

Temperatura di funzionamento massima:+ 200 C
Singoli transistor TW030N120C, chip TO-247-3 dei MOSFETs dei FETs del circuito integrato di S1F

Numero del pezzo:TW030N120C, S1F

Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds:2925 PF @ 800 V

Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs:82 nC @ 18 V
Transistor TW015N65C, transistor di N-Manica del chip TO-247-3 del circuito integrato di S1F

Numero del pezzo:TW015N65C, S1F

Tecnologia:SiCFET (carburo di silicio)

Capacità introdotta:4850pF
Chip TW048N65C, transistor del circuito integrato di N-Manica del carburo di silicio di S1F TO-247-3

Numero del pezzo:TW048N65C, S1F

Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @:5V @ 1.6mA

Tempo di aumento:43 NS

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