La Cina Moduli automobilistici di IGBT

Moduli discreti automobilistici a semiconduttore IGBT dei moduli FP25R12KT4B11BPSA1 di IGBT

Numero del pezzo:FP25R12KT4B11BPSA1

VCEO:1200 V

Palladio - dissipazione di potere:160 W
Moduli automobilistici dell'invertitore IGBT del ponte dei moduli FF750R17ME7DB11BPSA1 di IGBT mezzi

Numero del pezzo:FF750R17ME7DB11BPSA1

Resistenza stimata:kΩ 5

Deviazione di R100:-5- 5%
I moduli automobilistici FF45MR12W1M1B11BOMA1 di IGBT si raddoppiano modulo del MOSFET di 1200V CoolSiC

Numero del pezzo:FF45MR12W1M1B11BOMA1

Corrente dello scolo di CC:25A

Tensione della soglia del portone (tipo):4.5V
Ponte di arresto di campo della fossa del modulo di FF225R17ME7B11BPSA1 1700V 225A IGBT mezzo

Numero del pezzo:FF225R17ME7B11BPSA1

Tipo IGBT:Fermata del campo di trincea

Configurazione:mezzo ponte
Invertitore pieno del ponte dei moduli FS100R12N2T7B15BPSA1 1200V 100A 20mW di IGBT

Numero del pezzo:FS100R12N2T7B15BPSA1

Configurazione:Invertitore pieno del ponte

Corrente di perdita dell'Portone-emettitore:Na 100
MOSFET automobilistico dei moduli 1200V CoolSiC dei moduli FF8MR12W2M1PB11BPSA1 IGBT di IGBT

Numero del pezzo:FF8MR12W2M1PB11BPSA1

Tensione:1200 V

Resistenza:mΩ 8
Moduli trifase automobilistici del silicio dell'invertitore IGBT dei moduli FP35R12N2T7BPSA2 di IGBT

Numero del pezzo:FP35R12N2T7BPSA2

Peso:24g

Corrente di punta ripetitiva dello scolo:30A
Modulo automobilistico 1200V del ponte dei moduli FF11MR12W1M1PB11BPSA1 11mΩ di IGBT mezzo

Numero del pezzo:FF11MR12W1M1PB11BPSA1

Serie:CoolSiC™+

Tecnologia:Carburo di silicio (sic)
Mezzi moduli automobilistici del modulo 1200V IGBT del MOSFET del ponte FF8MR12W2M1B11BOMA1 CoolSiC

Numero del pezzo:FF8MR12W2M1B11BOMA1

IDRM:300a

Energia memorizzata di COSS:µJ 264
FS3L200R10W3S7FB94BPSA1 moduli a tre livelli del supporto IGBT del telaio dell'invertitore 950V 70A

Numero del pezzo:FS3L200R10W3S7FB94BPSA1

Corrente implementata dello scolo:15A

Input:Norma
mezzi moduli automobilistici del modulo FF6MR12W2M1PB11BPSA1 1200V IGBT del ponte 6mΩ

Numero del pezzo:FF6MR12W2M1PB11BPSA1

tensione di Scolo-fonte (Tvj = 25°C):1200V

Tensione di Portone-fonte:-10 V/20 V
Transistor dei moduli di media potenza IGBT di FS300R17OE4B81BPSA1 1700V 300A 20mW

Numero del pezzo:FS300R17OE4B81BPSA1

Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore:1700 V

Corrente - collettore:300 A

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Moduli automobilistici di IGBT

Moduli trifasi doppi di Econo FF900R12ME7WB11BPSA1 PIM IGBT di media potenza

FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 20mW 3 energia fotovoltaica del modulo 950V 70A di fase IGBT

Modulo doppio automobilistico dei moduli FF900R12ME7B11NPSA1 1200V 900A IGBT di IGBT

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Ponte di arresto di campo della fossa del modulo di FF225R17ME7B11BPSA1 1700V 225A IGBT mezzo

Invertitore pieno del ponte dei moduli FS100R12N2T7B15BPSA1 1200V 100A 20mW di IGBT

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Modulo automobilistico 1200V del ponte dei moduli FF11MR12W1M1PB11BPSA1 11mΩ di IGBT mezzo

Mezzi moduli automobilistici del modulo 1200V IGBT del MOSFET del ponte FF8MR12W2M1B11BOMA1 CoolSiC

FS3L200R10W3S7FB94BPSA1 moduli a tre livelli del supporto IGBT del telaio dell'invertitore 950V 70A

mezzi moduli automobilistici del modulo FF6MR12W2M1PB11BPSA1 1200V IGBT del ponte 6mΩ

Transistor dei moduli di media potenza IGBT di FS300R17OE4B81BPSA1 1700V 300A 20mW

Chip del circuito integrato

VN7008AJTR circuito integrato chip driver lato alto 96A switch lato alto PowerSSO-16

ADG1433YCPZ Chip di circuito integrato iCMOSTM Switch 4.7 Ohm Industrial CMOS Analog Switch

LT6700CS6-1 Chip di circuito integrato Micropower Low Voltage Dual Comparator Con 400mV di riferimento

CI ethernet

PEX8606-BA50BCG Ethernet IC 5.0GT/s 6-Lane 6-Port PCI Express Gen 2 Switch PBGA-196

PEX8619-BA50BIG Ethernet IC 16-Lane 16-Port PCI Express Switch HSBGA-324 PCIe Switch

88E1111-B2-RCJ1C000 Ethernet IC Alaska Ultra Gigabit Ethernet PHY Trasmettitori