La Cina Moduli automobilistici di IGBT

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  Moduli automobilistici doppi 50A 20mW del modulo FF23MR12W1M1B11BOMA1 IGBT di 1200V CoolSiC

  Numero del pezzo:FF23MR12W1M1B11BOMA1

  Montaggio del tipo:Montaggio su telaio

  Resistenza stimata (TNTC = 25°C) tipo:kΩ 5,00

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  Supporto automobilistico del telaio di matrice 1200V del Mosfet dei moduli FS55MR12W1M1HB11NPSA1 di IGBT

  Numero del pezzo:FS55MR12W1M1HB11NPSA1

  Tecnologia:Carburo di silicio (sic)

  Configurazione:6 N-Manica (ponte pieno)

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  Modulo automobilistico del MOSFET 2N-Channel dei moduli FF6MR12KM1PHOSA1 1200V CoolSiC di IGBT

  Numero del pezzo:FF6MR12KM1PHOSA1

  Nom di identificazione:250A

  Tecnologia:Carburo di silicio (sic)

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  Supporto trifase del telaio dell'invertitore 1200 V del modulo di FP75R12N3T7BPSA1 IGBT

  Numero del pezzo:FP75R12N3T7BPSA1

  VCES:1200 V

  Operazione di sovraccarico:175°C

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  modulo automobilistico di matrice del Mosfet dei moduli 1200V di 2N-Channel FF3MR12KM1HOSA1 IGBT

  Numero del pezzo:FF3MR12KM1HOSA1

  Vuoti a tensione di fonte (Vdss):1200 V (1,2 kV)

  Temperatura di funzionamento (min):-40°C (TJ)

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  Supporto automobilistico del telaio dei transistor dei moduli FP15R12KE3GBPSA1 1200V 25A di IGBT

  Numero del pezzo:FP15R12KE3GBPSA1

  Resistenza del cavo del modulo:2.5mΩ

  Temperatura di stoccaggio:-40 - °C 125

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  Ponte automobilistico di matrice 1200V del Mosfet dei moduli FF2MR12KM1HOSA1 2N-Channel di IGBT mezzo

  Numero del pezzo:FP75R12N2T4BPSA1

  RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs:2.13mOhm @ 500A, 15V

  Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds:39700pF @ 800V

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  Moduli dei transistor IGBT di arresto di campo della fossa di FP75R12N2T7BPSA2 1200V 75A 20mW

  Numero del pezzo:FP75R12N2T7BPSA2

  Tensione VCEO dell'emettitore del collettore massima:1200 V

  Tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore:1,55 V

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  Supporto automobilistico del telaio dei transistor dei moduli dei moduli FS75R12KE3BPSA1 IGBT di IGBT

  Numero del pezzo:FS75R12KE3BPSA1

  Temperatura di funzionamento:-40°C ~ 150°C (TJ)

  Montaggio del tipo:Montaggio su telaio

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  Supporto del telaio di arresto di campo della fossa del modulo di FP75R12N2T4BPSA1 IGBT 1200V 75A

  Numero del pezzo:FP75R12N2T4BPSA1

  Tipo di prodotto:Moduli di IGBT

  Tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore:1,85 V

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  moduli automobilistici trifasi del supporto FS150R12N2T7BPSA2 IGBT del telaio 20mW

  Numero del pezzo:FS150R12N2T7BPSA2

  Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore:1200 V

  Corrente - taglio del collettore:µA 1,2

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  Moduli trifase automobilistici del silicio dell'invertitore IGBT dei moduli FP100R12N2T7BPSA2 di IGBT

  Numero del pezzo:FP100R12N2T7BPSA2

  Temperatura di funzionamento minima:- 40 C

  Temperatura di funzionamento massima:+ 175 C

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