La Cina Moduli automobilistici di IGBT

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  Supporto automobilistico del telaio dei moduli FP150R12N3T7B11BPSA1 1200V 150A 20mW di IGBT

  Numero del pezzo:FP150R12N3T7B11BPSA1

  Categoria di prodotto:Moduli di IGBT

  Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI:1.8V @ 15V, 150A

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  invertitore trifase di arresto di campo della fossa del modulo FP100R12N2T7B11BPSA1 di 1200V 100A IGBT

  Numero del pezzo:FP100R12N2T7B11BPSA1

  Serie:EconoPIM™ 2

  Tipo IGBT:Fermata del campo di trincea

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  carburo di silicio automobilistico dei moduli 1200V di 2N-Channel FF6MR12W2M1B11BOMA1 IGBT

  Numero del pezzo:FF6MR12W2M1B11BOMA1

  Montaggio del tipo:Montaggio su telaio

  Temperatura di funzionamento (min):-40°C (TJ)

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  modulo automobilistico del MOSFET dei moduli FS45MR12W1M1B11BOMA1 20mW 6N-Channel di 25A IGBT

  Numero del pezzo:FS45MR12W1M1B11BOMA1

  Vuoti a tensione di fonte (Vdss):1200 V (1,2 kV)

  Configurazione:6 N-Manica (ponte trifase)

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  Moduli automobilistici del transistor di giunzione del carburo di silicio DF17MR12W1M1HFB68BPSA1 IGBT

  Numero del pezzo:DF17MR12W1M1HFB68BPSA1

  Tipo del FET:N-Manica

  Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C:45A (Tj)

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  Modulo automobilistico del carburo di silicio dei moduli DF8MR12W1M1HFB67BPSA1 2N-Channel di IGBT

  Numero del pezzo:DF8MR12W1M1HFB67BPSA1

  Tecnologia:Carburo di silicio (sic)

  Vuoti a tensione di fonte (Vdss):1200V

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  modulo automobilistico dei moduli 60A dei moduli DF419MR20W3M1HFB11BPSA1 IGBT di 2000V IGBT

  Numero del pezzo:DF419MR20W3M1HFB11BPSA1

  Tensione di prova di isolamento:3.2kV

  Modulo smarrito di induttanza (tipo):14nH

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  MOSFET automobilistico di CoolSiC del carburo di silicio dei moduli DF11MR12W1M1PB11BPSA1 1200V di IGBT

  Numero del pezzo:DF11MR12W1M1PB11BPSA1

  Serie:EasyPACK™

  Temperatura di funzionamento (massima):150°C (TJ)

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  moduli automobilistici del MOSFET del carburo di silicio dei moduli DF23MR12W1M1B11BPSA1 di 20mW IGBT

  Numero del pezzo:DF23MR12W1M1B11BPSA1

  VDSS:1200V

  Nom di identificazione:25A

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  Moduli automobilistici dei transistor IGBT dei moduli FF600R12ME4WB73BPSA1 600A di IGBT

  Numero del pezzo:FF600R12ME4WB73BPSA1

  Capacità introdotta (Cies) @ Vce:37 N-F @ 25 V

  Input:Norma

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  Moduli dei transistor IGBT del supporto FS150R12N2T7B15BPSA1 1200V 150A del telaio

  Numero del pezzo:FS150R12N2T7B15BPSA1

  Corrente - taglio del collettore:µA 12

  Temperatura di funzionamento minima:- 40 C

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  Moduli automobilistici 20mW 2N-Channel del carburo di silicio DF23MR12W1M1PB11BPSA1 IGBT

  Numero del pezzo:DF23MR12W1M1PB11BPSA1

  Tecnologia:Carburo di silicio (sic)

  Vuoti a tensione di fonte (Vdss):1200 V (1,2 kV)

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