La Cina Moduli automobilistici di IGBT

• 

  Modulo di alimentazione MSCSM120HM50CT3AG Mosfet Array Transistor a semiconduttore discreti

  Numero del pezzo:MSCSM120HM50CT3AG

  Tensione inversa:1,2 kV

  Tensione di Portone-fonte:-10V, +25V

  Contattaci
• 

  Modulo di potere automobilistico di matrice 1200V del Mosfet dei moduli MSCSM120HM31CT3AG di IGBT

  Numero del pezzo:MSCSM120HM31CT3AG

  Energia d'apertura:20.3mJ

  ISD:270 A

  Contattaci
• 

  modulo di potere del MOSFET del carburo di silicio di fonte comune 2N-Channel MSCSM70DUM07T3AG 988W

  Numero del pezzo:MSCSM70DUM07T3AG

  Massimo elettrico:988W (TC)

  Temperatura di funzionamento:-40°C ~ 175°C (TJ)

  Contattaci
• 

  Moduli IGBT automotive MSC100SM70JCU3 Moduli IGBT a canale N in carburo di silicio 365W

  Numero del pezzo:MSC100SM70JCU3

  Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs:215 nC @ 20 V

  Vf - tensione di andata:1,5 V

  Contattaci
• 

  moduli automobilistici del MOSFET di potere dei moduli MSCSM120SKM11CT3AG 254A di 4000Vrms IGBT

  Numero del pezzo:MSCSM120SKM11CT3AG

  Montaggio del tipo:Montaggio su telaio

  Tensione - isolamento:4000Vrms

  Contattaci
• 

  Mosfet Array Modulo di alimentazione SiC MSCSM170AM058CT6LIAG Moduli IGBT automotive

  Numero del pezzo:MSCSM170AM058CT6LIAG

  Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds:19800pF @ 1000V

  Tecnologia:SIC

  Contattaci
• 

  Di IGBT dei moduli MSCSM170AM039CT6AG 523A di fase della gamba transistor automobilistici sic

  Numero del pezzo:MSCSM170AM039CT6AG

  RDS sopra:5mOhm

  Corrente pulsata dello scolo:1000A

  Contattaci
• 

  Transistor discreti del supporto del telaio del modulo MSCSM170AM058CD3AG a semiconduttore

  Numero del pezzo:MSCSM170AM058CD3AG

  Montaggio del tipo:Montaggio su telaio

  Temperatura di funzionamento:-40°C ~ 175°C (TJ)

  Contattaci
• 

  Di IGBT dei moduli MSCSM170AM15CT3AG di fase della gamba modulo di potere automobilistico del MOSFET sic

  Numero del pezzo:MSCSM170AM15CT3AG

  Scolo-fonte su resistenza:mΩ 15

  Dissipazione di potere:862W

  Contattaci
• 

  Transistor discreti a semiconduttore di matrice 1.7kV 124A del Mosfet di MSCSM170AM23CT1AG

  Numero del pezzo:MSCSM170AM23CT1AG

  Configurazione:2 Manica di N (gamba di fase)

  VGS:20 V

  Contattaci
• 

  Modulo di potere automobilistico del MOSFET dei moduli 1200V di N-Manica MSC40SM120JCU3 IGBT sic

  Numero del pezzo:MSC40SM120JCU3

  Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C:55A (TC)

  Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @:2.7V @ 1mA

  Contattaci
• 

  Moduli MSC130SM120JCU3 Modulo di alimentazione completo in carburo di silicio 1200 V 173 A N-Channel

  Numero del pezzo:MSC130SM120JCU3

  Prodotto:Moduli del carburo di silicio di IGBT

  Vf - tensione di andata:1,5 V

  Contattaci