La Cina Moduli automobilistici di IGBT

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  Transistor automobilistici del supporto del telaio dei moduli MSCSM170AM45CT1AG 319W di IGBT

  Numero del pezzo:MSCSM170AM45CT1AG

  VDSS:1700V

  Corrente - scolo continuo:64A (TC)

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  Modulo di potere automobilistico del MOSFET dei moduli MSCSM120DAM11CT3AG di IGBT sic 4000Vrms

  Numero del pezzo:MSCSM120DAM11CT3AG

  Vf - tensione di andata:1,5 V a 180 A

  Tempo di caduta:25 n

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  Supporto discreto SP3F del telaio dei moduli 700V 241A 690W a semiconduttore di MSCSM70AM10CT3AG

  Numero del pezzo:MSCSM70AM10CT3AG

  Categoria di prodotto:Moduli discreti a semiconduttore

  Vf - tensione di andata:1,5 V a 100 A

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  Moduli IGBT automobilistici 1200V MSC130SM120JCU2 N-Channel Carburo di silicio SOT-227-4

  Numero del pezzo:MSC130SM120JCU2

  Tipo:Selettore rotante di spinta

  Vgs - tensione di Portone-fonte:-10V, +25V

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  Moduli IGBT per autoveicoli MSC100SM70JCU2 Boost Chopper SiC MOSFET Power Module SOT-227-4

  Numero del pezzo:MSC100SM70JCU2

  Tipo del FET:N-Manica

  RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs:19mOhm @ 40A, 20V

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  Transistor automobilistici del modulo di potere del carburo di silicio dei moduli MSCSM70AM025CD3AG di IGBT

  Numero del pezzo:MSCSM70AM025CD3AG

  VF:1,5 V

  ver:700 V

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  Transistor discreti del carburo di silicio dei moduli MSCSM120AM50CT1AG a semiconduttore

  Numero del pezzo:MSCSM120AM50CT1AG

  Tecnologia:SIC

  Tipo:Gamba di fase

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  Inverter a tre livelli MSCSM170TLM23C3AG Modulo di potenza MOSFET SiC 1700V 4N-canale

  Numero del pezzo:MSCSM170TLM23C3AG

  Pacchetto del dispositivo del fornitore:SP3F

  Pacchetto/caso:Modulo

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  Moduli IGBT automobilistici MSCSM120AM11CT3AG 1,2 kV 254 A 1,067 kW MOSFET Transistor

  Numero del pezzo:MSCSM120AM11CT3AG

  Tempo di recupero inverso:90ns

  Resistenza termica del Giunzione--caso:0.126°C/W

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  moduli automobilistici 700V dei MOSFETs MSCSM70TLM10C3AG IGBT del carburo di silicio 4N-Channel

  Numero del pezzo:MSCSM70TLM10C3AG

  Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs:430nC @ 20V

  Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds:9000pF @ 700V

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  Modulo automobilistico 1200V di Schottky del carburo di silicio dei moduli MSCDC100A120D1PAG di IGBT

  Numero del pezzo:MSCDC100A120D1PAG

  Configurazione del diodo:Connessione in serie a 1 coppia

  Carica capacitiva totale VR = 600V:448 nC (tipico)

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  Moduli discreti automobilistici a semiconduttore dei moduli MSCSM120TAM16CTPAG 728W di IGBT

  Numero del pezzo:MSCSM120TAM16CTPAG

  corrente di perdita di Portone-fonte:1μA

  Tensione della soglia del portone:2.8V

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