La Cina Moduli automobilistici di IGBT

Moduli IGBT automotive MSCSM170DUM039AG Array MOSFET sorgente comune a 2 canali N

Numero del pezzo:MSCSM170DUM039AG

Pacchetto/caso:Modulo

Tensione di Scolo-fonte (massima):1700V
Transistor a semiconduttore discreti MSCSM70HM05CAG 700V Moduli IGBT automobilistici

Numero del pezzo:MSCSM70HM05CAG

VF:1,5 V

Tecnologia:SIC
Supporto automobilistico del telaio dei transistor del modulo di potere dei moduli MSCSM70HM19CT3AG di IGBT

Numero del pezzo:MSCSM70HM19CT3AG

Massimo elettrico:365W (TC)

Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds:4500pF @ 700V
La sorgente comune doppia MSCSM170DUM11T3AG IGBT automotive moduli 240A 1700V MOSFET

Numero del pezzo:MSCSM170DUM11T3AG

Pacchetto del dispositivo del fornitore:SP3F

Temperatura di funzionamento (min):-40°C (TJ)
Modulo di potere automobilistico del MOSFET dei moduli MSCSM70DUM017AG 2N-Channel di IGBT sic 700V

Numero del pezzo:MSCSM70DUM017AG

Configurazione:Fonte comune (doppia) di N-Manica 2

Vuoti a tensione di fonte (Vdss):700V
Modulo di alimentazione MSCSM120HM50CT3AG Mosfet Array Transistor a semiconduttore discreti

Numero del pezzo:MSCSM120HM50CT3AG

Tensione inversa:1,2 kV

Tensione di Portone-fonte:-10V, +25V
Modulo di potere automobilistico di matrice 1200V del Mosfet dei moduli MSCSM120HM31CT3AG di IGBT

Numero del pezzo:MSCSM120HM31CT3AG

Energia d'apertura:20.3mJ

ISD:270 A
modulo di potere del MOSFET del carburo di silicio di fonte comune 2N-Channel MSCSM70DUM07T3AG 988W

Numero del pezzo:MSCSM70DUM07T3AG

Massimo elettrico:988W (TC)

Temperatura di funzionamento:-40°C ~ 175°C (TJ)
Moduli IGBT automotive MSC100SM70JCU3 Moduli IGBT a canale N in carburo di silicio 365W

Numero del pezzo:MSC100SM70JCU3

Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs:215 nC @ 20 V

Vf - tensione di andata:1,5 V
moduli automobilistici del MOSFET di potere dei moduli MSCSM120SKM11CT3AG 254A di 4000Vrms IGBT

Numero del pezzo:MSCSM120SKM11CT3AG

Montaggio del tipo:Montaggio su telaio

Tensione - isolamento:4000Vrms
Mosfet Array Modulo di alimentazione SiC MSCSM170AM058CT6LIAG Moduli IGBT automotive

Numero del pezzo:MSCSM170AM058CT6LIAG

Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds:19800pF @ 1000V

Tecnologia:SIC
Di IGBT dei moduli MSCSM170AM039CT6AG 523A di fase della gamba transistor automobilistici sic

Numero del pezzo:MSCSM170AM039CT6AG

RDS sopra:5mOhm

Corrente pulsata dello scolo:1000A

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Moduli automobilistici di IGBT

Moduli trifasi doppi di Econo FF900R12ME7WB11BPSA1 PIM IGBT di media potenza

FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 20mW 3 energia fotovoltaica del modulo 950V 70A di fase IGBT

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Transistor a semiconduttore discreti MSCSM70HM05CAG 700V Moduli IGBT automobilistici

Supporto automobilistico del telaio dei transistor del modulo di potere dei moduli MSCSM70HM19CT3AG di IGBT

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Modulo di potere automobilistico del MOSFET dei moduli MSCSM70DUM017AG 2N-Channel di IGBT sic 700V

Modulo di alimentazione MSCSM120HM50CT3AG Mosfet Array Transistor a semiconduttore discreti

Modulo di potere automobilistico di matrice 1200V del Mosfet dei moduli MSCSM120HM31CT3AG di IGBT

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Moduli IGBT automotive MSC100SM70JCU3 Moduli IGBT a canale N in carburo di silicio 365W

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Chip del circuito integrato

VN7008AJTR circuito integrato chip driver lato alto 96A switch lato alto PowerSSO-16

ADG1433YCPZ Chip di circuito integrato iCMOSTM Switch 4.7 Ohm Industrial CMOS Analog Switch

LT6700CS6-1 Chip di circuito integrato Micropower Low Voltage Dual Comparator Con 400mV di riferimento

CI ethernet

PEX8606-BA50BCG Ethernet IC 5.0GT/s 6-Lane 6-Port PCI Express Gen 2 Switch PBGA-196

PEX8619-BA50BIG Ethernet IC 16-Lane 16-Port PCI Express Switch HSBGA-324 PCIe Switch

88E1111-B2-RCJ1C000 Ethernet IC Alaska Ultra Gigabit Ethernet PHY Trasmettitori