La Cina Chip del circuito integrato

Transistor elettronici dei circuiti integrati IKQ50N120CH7XKSA1 1200V 71A

Numero del pezzo:IKQ50N120CH7XKSA1

Temperatura di giunzione massima:175°C

Tensione di saturazione bassa:1,7 V
Fermata di campo della fossa del chip IKW08N120CS7XKSA1 1200V 21A 106W IGBT di IC attraverso il foro

Numero del pezzo:IKW08N120CS7XKSA1

Tecnologia:Si

Categoria di prodotto:Transistor di IGBT
Di IC singoli IGBT 1200V 82A transistor del chip IKQ75N120CH7XKSA1 attraverso il foro

Numero del pezzo:IKQ75N120CH7XKSA1

Tempo di recupero inverso:149 NS

Temperatura di funzionamento:-40°C ~ 175°C (TJ)
Singoli transistor discreti a semiconduttore di IGBTs IKY100N120CH7XKSA1 212A 721W

Numero del pezzo:IKY100N120CH7XKSA1

Tipo di IGBT:Fermata di campo della fossa

Tassa del portone:714 nC
Supporto di superficie dei transistor SCTH60N120G2-7 TO-263-8 di N-Manica del carburo di silicio

Numero del pezzo:SCTH60N120G2-7

Modo di Manica:Potenziamento

Configurazione:Singolo
Transistor dei MOSFETs di N-Manica 750V 56A 176W SCT4026DRHRC15 del chip di IC singoli

Numero del pezzo:SCT4026DRHRC15

Montaggio del tipo:Attraverso il foro

Temperatura di funzionamento:175°C (TJ)
I transistor SCT3080ARHRC15 di N-Manica sic alimentano il chip del circuito integrato del MOSFET 650V

Numero del pezzo:SCT3080ARHRC15

Pacchetto/caso:TO-247-4L

Modo di Manica:Potenziamento
Transistor TO-247-3 di N-Manica del chip SCT2280KEGC11 del circuito integrato attraverso il foro

Numero del pezzo:SCT2280KEGC11

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C:14A (TC)

Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs:36 nC @ 18 V
Il N-Manica sic alimenta i transistor del chip TO-263-8 del circuito integrato del MOSFET SCT4062KW7TL

Numero del pezzo:SCT4062KW7TL

Categoria di prodotto:MOSFET

Tipo del FET:N-Manica
Chip TO-247-3 650V del circuito integrato di arresto di campo della fossa di IGBT IKW40N65ET7XKSA1

Numero del pezzo:IKW40N65ET7XKSA1

Tipo di IGBT:Fermata di campo della fossa

Energia di commutazione:1.05mJ (sopra), 590µJ (fuori)
Del circuito integrato singoli IGBT transistor TO-247-3 del chip IKW50N120CH7XKSA1

Numero del pezzo:IKW50N120CH7XKSA1

Energia di commutazione:2.33mJ (sopra), 1.12mJ (fuori)

Tipo introdotto:Norma
Transistor del carburo di silicio di N-Manica del chip MSC025SMA120B del circuito integrato

Numero del pezzo:MSC025SMA120B

Stato del prodotto:Attivo

Tipo del FET:N-Manica

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Di IC singoli IGBT 1200V 82A transistor del chip IKQ75N120CH7XKSA1 attraverso il foro

Singoli transistor discreti a semiconduttore di IGBTs IKY100N120CH7XKSA1 212A 721W

Supporto di superficie dei transistor SCTH60N120G2-7 TO-263-8 di N-Manica del carburo di silicio

Transistor dei MOSFETs di N-Manica 750V 56A 176W SCT4026DRHRC15 del chip di IC singoli

I transistor SCT3080ARHRC15 di N-Manica sic alimentano il chip del circuito integrato del MOSFET 650V

Transistor TO-247-3 di N-Manica del chip SCT2280KEGC11 del circuito integrato attraverso il foro

Il N-Manica sic alimenta i transistor del chip TO-263-8 del circuito integrato del MOSFET SCT4062KW7TL

Chip TO-247-3 650V del circuito integrato di arresto di campo della fossa di IGBT IKW40N65ET7XKSA1

Del circuito integrato singoli IGBT transistor TO-247-3 del chip IKW50N120CH7XKSA1

Transistor del carburo di silicio di N-Manica del chip MSC025SMA120B del circuito integrato

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