La Cina Chip del circuito integrato

Singola fermata di campo della fossa dei transistor IKW40N120CH7XKSA1 TO-247-3 IGBT di IGBTs 1200V

Numero del pezzo:IKW40N120CH7XKSA1

IFpuls massimo:165A

Ptot (@ TA=25°C) massimo:330 W
Fermata di campo della fossa di IKY50N120CH7XKSA1 IGBT 1200 V 75 transistor di un IGBTs

Numero del pezzo:IKY50N120CH7XKSA1

Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore:1200 V

Tipo introdotto:Norma
Chip del circuito integrato dei transistor IKQ75N120CS7XKSA1 di arresto di campo della fossa di IGBT

Numero del pezzo:IKQ75N120CS7XKSA1

Tensione massima dell'emettitore del portone:- 20 V, 20 V

Pacchetto:TO-247-3
Supporto di superficie del pacchetto dei transistor TO-263-8 di N-Manica 1700V IMBF170R450M1

Numero del pezzo:IMBF170R450M1

Stato del prodotto:Attivo

Tipo del FET:N-Manica
Potere della fossa dei transistor 650V dei MOSFETs del carburo di silicio di TO-263-8 IMBG65R048M1H sic

Numero del pezzo:IMBG65R048M1H

Corrente di punta dello scolo (massima):99A

Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs:33 nC @ 18 V
Di IMBG65R039M1H di N-Manica 650V dei MOSFETs dei transistor dispositivo di potere della fossa sic

Numero del pezzo:IMBG65R039M1H

Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C:54A (TC)

RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs:51mOhm @ 25A, 18V
650V dei transistor IMW65R030M1H di N-Manica transistor di potenza TO-247-3 della fossa sic

Numero del pezzo:IMW65R030M1H

Determinare tensione:18v

Modo di Manica:Potenziamento
sic transistor TO-247-4 di N-Manica del MOSFET IMZ120R350M1H della fossa 1200V attraverso il foro

Numero del pezzo:IMZ120R350M1H

Tensione della soglia del portone del punto di riferimento:VGS (Th) = 4.5V

Tvj, massimo:175°C
TO-247-3 N-Manica 650V 26A del pacchetto IMW65R072M1H tramite i transistor del foro

Numero del pezzo:IMW65R072M1H

Qg:22 nC

VGS:18 V
Supporto di superficie discreto dei transistor IMBG120R350M1H TO-263-8 a semiconduttore

Numero del pezzo:IMBG120R350M1H

Corrente di diodo pulsata del corpo:169 A

Il cortocircuito resiste al tempo:3 µs
SOT-563 regolatore di tensione scendere sincrono di superficie del supporto TPS563231DRLR 3A

Numero del pezzo:TPS563231DRLR

Tensione - introdotta (min):4.5V

Tensione - introdotta (massimo):17V
Logica programmabile IC 324-LFBGA del chip XC7S50-1CSGA324C 950 sistemi MV del circuito integrato

Numero del pezzo:XC7S50-1CSGA324C

RAM:kbit 600

Laboratori:LABORATORIO 4075

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Fermata di campo della fossa di IKY50N120CH7XKSA1 IGBT 1200 V 75 transistor di un IGBTs

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Supporto di superficie del pacchetto dei transistor TO-263-8 di N-Manica 1700V IMBF170R450M1

Potere della fossa dei transistor 650V dei MOSFETs del carburo di silicio di TO-263-8 IMBG65R048M1H sic

Di IMBG65R039M1H di N-Manica 650V dei MOSFETs dei transistor dispositivo di potere della fossa sic

650V dei transistor IMW65R030M1H di N-Manica transistor di potenza TO-247-3 della fossa sic

sic transistor TO-247-4 di N-Manica del MOSFET IMZ120R350M1H della fossa 1200V attraverso il foro

TO-247-3 N-Manica 650V 26A del pacchetto IMW65R072M1H tramite i transistor del foro

Supporto di superficie discreto dei transistor IMBG120R350M1H TO-263-8 a semiconduttore

SOT-563 regolatore di tensione scendere sincrono di superficie del supporto TPS563231DRLR 3A

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