La Cina Chip del circuito integrato

Carburo di silicio dei MOSFETs TO-247-4 di N-Manica del chip MSC035SMA070B4 del circuito integrato

Numero del pezzo:MSC035SMA070B4

Capacità introdotta:2010pF (tipo)

Capacità di uscita:247pF (tipo)
N-Manica del chip TO-247-3 del circuito integrato dei transistor MSC035SMA070B dei MOSFETs

Numero del pezzo:MSC035SMA070B

Temperatura di funzionamento (massima):175°C (TJ)

Identificazione - Corrente continua dello scolo:77 A
supporto SOT-227 del telaio del MOSFET di potere di N-Manica del carburo di silicio di 1200V MSC080SMA120J

Numero del pezzo:MSC080SMA120J

Tipo del FET:N-Manica

Tecnologia:SiCFET (carburo di silicio)
MOSFET di potere di N-Manica del carburo di silicio del chip MSC015SMA070S 700V del circuito integrato

Numero del pezzo:MSC015SMA070S

Polarità del transistor:N-Manica

Numero dei canali:1 Manica
N-Manica 700V del chip MSC015SMA070B di IC tramite i transistor del foro TO-247-3

Numero del pezzo:MSC015SMA070B

Tipo del FET:N-Manica

Tensione di controllo:20V
TO-247-3 tramite i transistor di arresto di campo della fossa del foro IKQ120N120CS7XKSA1 IGBT

numero del pezzo:IKQ120N120CS7XKSA1

Tipo IGBT:Fermata del campo di trincea

Stato del prodotto:Attivo
Fermata di campo ad alta velocità della fossa dei transistor IKQ100N120CH7XKSA1 IGBT di 1200V 166A

numero del pezzo:IKQ100N120CH7XKSA1

Serie:TrenchStop™

Energia di commutazione:6.7mJ (sopra), 2.52mJ (fuori)
I CI scheggiano i transistor 1200V 36A 176W di IKW15N120CS7XKSA1 IGBT attraverso il foro PG-TO247-3

Numero del pezzo:IKW15N120CS7XKSA1

Tensione VCEO dell'emettitore del collettore massima:1,2 kV

Tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore:1,65 V
Del circuito integrato singoli IGBT transistor TO-247-3 del chip IKW50N65ET7XKSA1

Numero del pezzo:IKW50N65ET7XKSA1

Massimo elettrico:273 W

Tempo di recupero inverso:93 NS
Transistor elettronici di arresto di campo della fossa dei circuiti integrati IKW30N65ET7XKSA1 IGBT

Numero del pezzo:IKW30N65ET7XKSA1

VCE:650 V

Temperatura di stoccaggio:-55 - °C 150
fermata di campo della fossa dei transistor IKW40N120CS7XKSA1 357W IGBT di 1200V IGBT TO-247-3

Numero del pezzo:IKW40N120CS7XKSA1

Tensione massima dell'emettitore del portone:- 20 V, 20 V

Corrente di collettore continua a 25 C:82 A
Chip del circuito integrato dei transistor 650V 40A 136W IKW20N65ET7XKSA1 di IGBT

Numero del pezzo:IKW20N65ET7XKSA1

Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C:16ns/210ns

Condizione di prova:400V, 20A, 12Ohm, 15V

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Carburo di silicio dei MOSFETs TO-247-4 di N-Manica del chip MSC035SMA070B4 del circuito integrato

N-Manica del chip TO-247-3 del circuito integrato dei transistor MSC035SMA070B dei MOSFETs

supporto SOT-227 del telaio del MOSFET di potere di N-Manica del carburo di silicio di 1200V MSC080SMA120J

MOSFET di potere di N-Manica del carburo di silicio del chip MSC015SMA070S 700V del circuito integrato

N-Manica 700V del chip MSC015SMA070B di IC tramite i transistor del foro TO-247-3

TO-247-3 tramite i transistor di arresto di campo della fossa del foro IKQ120N120CS7XKSA1 IGBT

Fermata di campo ad alta velocità della fossa dei transistor IKQ100N120CH7XKSA1 IGBT di 1200V 166A

I CI scheggiano i transistor 1200V 36A 176W di IKW15N120CS7XKSA1 IGBT attraverso il foro PG-TO247-3

Del circuito integrato singoli IGBT transistor TO-247-3 del chip IKW50N65ET7XKSA1

Transistor elettronici di arresto di campo della fossa dei circuiti integrati IKW30N65ET7XKSA1 IGBT

fermata di campo della fossa dei transistor IKW40N120CS7XKSA1 357W IGBT di 1200V IGBT TO-247-3

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