La Cina Chip del circuito integrato

Chip del circuito integrato del MOSFET TO-268-3 dei transistor MSC180SMA120S di N-Manica sic

Numero del pezzo:MSC180SMA120S

Vgs (massimo):+23V, -10V

RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs:225mOhm @ 8A, 20V
modulo SOT-227-4 del MOSFET di potere di N-Manica del carburo di silicio 1200V MSC017SMA120J

Numero del pezzo:MSC017SMA120J

Temperatura di funzionamento minima:- 55 C

Palladio - dissipazione di potere:278 W
Transistor TO-268-3 dei MOSFETs dei FETs del chip MSC017SMA120S del circuito integrato singoli

Numero del pezzo:MSC017SMA120S

Dissipazione di potere (massima):357W (TC)

Pacchetto del dispositivo del fornitore:D3PAK
I transistor di N-Manica del chip MSC040SMA120S del circuito integrato sorgono il supporto

Numero del pezzo:MSC040SMA120S

Temperatura di funzionamento:-55°C ~ 175°C (TJ)

Identificazione - Corrente continua dello scolo:64 A
MOSFET TO-247-3 di potere di N-Manica del carburo di silicio del chip MSC017SMA120B del circuito integrato

Numero del pezzo:MSC017SMA120B

Montaggio del tipo:Attraverso il foro

Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds:5280 PF @ 1000 V
N-Manica di MSC040SMA120J 1200 transistor del supporto SOT-227 del telaio di V 53A 208W

Numero del pezzo:MSC040SMA120J

RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs:50mOhm @ 40A, 20V

Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds:PF 1990 @ 1000 V
chip TO-268-3 del circuito integrato del MOSFET MSC750SMA170S di potere di N-Manica 1700V

numero del pezzo:MSC750SMA170S

Numero dei canali:1 canale

Resistenza su di Scolo-fonte di RDS:750 mOhm
Transistor TO-247-3 del chip MSC080SMA120B del circuito integrato attraverso il foro

Numero del pezzo:MSC080SMA120B

Tensione di ripartizione di Scolo-fonte:1,2 chilovolt

Configurazione:Singolo
1700V carburo di silicio dei transistor TO-247-4 di N-Manica dei transistor MSC750SMA170B4

Numero del pezzo:MSC750SMA170B4

Tecnologia:SiCFET (carburo di silicio)

Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On):20V
I CI scheggiano il N-Manica di MSC080SMA120S 1200 transistor di superficie del supporto di V 35A 182W

Numero del pezzo:MSC080SMA120S

RDS sopra:100 mOhms

Temperatura di funzionamento minima:- 55 C
Transistor di N-Manica del chip 700V SiCFET del circuito integrato di TO-247-3 MSC090SMA070B

numero del pezzo:MSC090SMA070B

Polarità del transistor:N-Manica

Qg - tassa del portone:38 nC
Transistor di N-Manica del chip TO-268-3 del circuito integrato dei transistor MSC035SMA070S

Numero del pezzo:MSC035SMA070S

Categoria di prodotto:MOSFET

Qg - tassa del portone:5 A

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modulo SOT-227-4 del MOSFET di potere di N-Manica del carburo di silicio 1200V MSC017SMA120J

Transistor TO-268-3 dei MOSFETs dei FETs del chip MSC017SMA120S del circuito integrato singoli

I transistor di N-Manica del chip MSC040SMA120S del circuito integrato sorgono il supporto

MOSFET TO-247-3 di potere di N-Manica del carburo di silicio del chip MSC017SMA120B del circuito integrato

N-Manica di MSC040SMA120J 1200 transistor del supporto SOT-227 del telaio di V 53A 208W

chip TO-268-3 del circuito integrato del MOSFET MSC750SMA170S di potere di N-Manica 1700V

Transistor TO-247-3 del chip MSC080SMA120B del circuito integrato attraverso il foro

1700V carburo di silicio dei transistor TO-247-4 di N-Manica dei transistor MSC750SMA170B4

I CI scheggiano il N-Manica di MSC080SMA120S 1200 transistor di superficie del supporto di V 35A 182W

Transistor di N-Manica del chip 700V SiCFET del circuito integrato di TO-247-3 MSC090SMA070B

Transistor di N-Manica del chip TO-268-3 del circuito integrato dei transistor MSC035SMA070S

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