Numero della parte:S70KL1283GABHI020
Tempo di accesso:35 ns
Organizzazione della memoria:16M x 8
Numero della parte:S28HS01GTGZBHI030
Pacco:BGA
Tipo:Chip di memoria
Numero della parte:S70KS1283GABHA020
Tecnologia:38-nm DRAM
Pacco:24-ball FBGA
Numero della parte:S28HS01GTGZBHV033
Cicli minimi:500
Il programma/cancella i cicli:Settore 4KB
Numero della parte:S70KS1282GABHB033
Lo spazio per l'indirizzo consiste:Settori 256KB
Integrità dei dati:dispositivi 256Mb
Numero della parte:S70KS1283GABHV020
PSRAM:128 Mb
Mezzo pagina:byte 16
Numero della parte:S80KS5122GABHV020
Tensione di rifornimento - massima:2 V
Tensione di rifornimento - min:1,7 V
Numero della parte:S80KS5123GABHV020
Organizzazione della memoria:64M x 8
Corrente del rifornimento - massima:44 mA
Numero della parte:S80KS2562GABHM020
DRAM:256 MB
Appoggio:°C 105
Numero della parte:S27KL0643GABHI023
Canale omnibus di dati:8 bit
Frequenza di clock:200 MHz
Numero della parte:S26HS512TGABHV010
Voltaggio - Fornitura:1.7V ~ 2V
Umidità sensibile:- Sì, sì.
Numero della parte:S26HS512TGABHV013
La RDT ha letto:166MHz
Status del prodotto:Attivo