La Cina Chip IC di memoria

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  Chip MT29F512G08CMCEBJ4-37ITR di IC: Memoria parallela IC 132-VBGA di E 267MHz 512Gbit

  Numero della parte:MT29F512G08CMCEBJ4-37ITR: E

  Tipo cronometrante:Asincrono, sincrono

  Velocità:533 MT/s

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  Circuiti integrati elettronici MT28EW01GABA1LPC-0 SIT Memory IC 64-LBGA

  Numero della parte:MT28EW01GABA1LPC-0SIT

  Memoria:1Gbit

  Interfaccia della memoria:Parallelamente

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  Chip MT29F2G08ABAGAWP-AAT di IC: Memoria flash parallela IC di G 2Gbit 20NS 48-TSOP

  Numero della parte:MT29F2G08ABAGAWP-AAT: G

  Voltaggio - Fornitura:2.7V ~ 3.6V

  Temperatura di funzionamento:-40°C ~ 105°C (TA)

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  Chip MT29F2G16ABAGAWP-AIT del circuito integrato: G NAND Flash Memory IC 48-TFSOP

  Numero della parte:MT29F2G16ABAGAWP-AIT: G

  Cancelli il blocco:2 ms

  Insieme di comando:ONFI NAND Flash Protocol

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  MT29F256G08AUCABH3-10ITZ: Un supporto della superficie di IC di memoria di 256Gbit 100MHz 100-LBGA

  Numero della parte:MT29F256G08AUCABH3-10ITZ:

  Frequenza dell'orologio:100 MHz

  Memoria:256Gbit

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  Chip MT29F2T08EMLEEJ4-R del circuito integrato: Memoria parallela IC 132-VBGA di E 2Tbit

  Numero della parte:MT29F2T08EMLEEJ4-R: E

  Organizzazione della memoria:256G x 8

  Interfaccia della memoria:Parallelamente

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  Supporto di superficie MT29F2T08EMLEEJ4-T del chip 132-VBGA del circuito integrato: Memoria IC di E

  Numero della parte:MT29F2T08EMLEEJ4-T: E

  Larghezza del canale omnibus di dati:bit 8

  Organizzazione:256 G x 8

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  Circuiti integrati elettronici MT29F4T08EULEEM4-T: FLASH di E - NAND Memory IC

  Numero della parte:MT29F4T08EULEEM4-T: E

  Tipo di montaggio:Montaggio superficiale

  Temperatura di funzionamento:0°C ~ 70°C

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  Chip MT25QL02GCBB8E12-0AAT 2Gbit SPI del circuito integrato una memoria IC di 133 megahertz

  Numero della parte:MT25QL02GCBB8E12-0AAT

  Cancelli la prestazione:80KB/sec

  Subsettore:4KB

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  MT29F2G01ABBGD12-AAT: Supporto di superficie di IC 24-T-PBGA di memoria di G 2Gbit SPI 83MHz

  Numero della parte:MT29F2G01ABBGD12-AAT: G

  Dimensione della memoria:2Gbit

  Interfaccia della memoria:SPI

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  supporto parallelo MT29F1T08EELEEJ4-R della superficie 1Tbit 132-VBGA: E NAND Memory IC

  Numero della parte:MT29F1T08EELEEJ4-R: E

  Tecnologia:FLASH - NAND (TLC)

  Voltaggio - Fornitura:2.6V ~ 3.6V

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  Chip MT29F512G08EBLEEJ4-T del circuito integrato: Memoria IC di E 512Gbit 132-VBGA

  Numero della parte:MT29F512G08EBLEEJ4-T: E

  Organizzazione della memoria:64G x 8

  Larghezza del canale omnibus di dati:bit 8

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