La Cina Chip IC di memoria

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  MT29F4G08ABBFAH4-AIT: Chip del circuito integrato di IC 63-VFBGA di memoria parallela di F 4Gbit

  Numero della parte:MT29F4G08ABBFAH4-AIT: F

  Pagina di programma:240µs (TIPO) con le CEE del su dado ha permesso a

  Numero degli aerei:1

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  Chip MT29F2G08ABAGAWP-IT del circuito integrato: Parallelo del chip di memoria 2Gbit di G 48-TFSOP

  Numero della parte:MT29F2G08ABAGAWP-IT: G

  Tipo cronometrante:Asincrono

  Tensione - rifornimento (min):2.7V

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  Chip di memoria 63-VFBGA MT29F4G08ABBFAH4-AAT: F 4Gbit NAND Flash Memory parallelo IC

  Numero della parte:MT29F4G08ABBFAH4-AAT: F

  Cancelli il blocco:2ms (TIPO)

  Dimensione:9 mm × 11 mm × 1,0 mm

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  NAND Flash Memory Chips MT29F8G08ADAFAWP-AAT: Chip 48-TFSOP del circuito integrato di F

  Numero della parte:MT29F8G08ADAFAWP-AAT: F

  Organizzazione della memoria:1G x 8

  Dimensione del dispositivo:8Gb: 8.192 blocchi

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  Chip MT29F2G08ABAGAH4-ITE del circuito integrato: FLASH NAND Memory IC 63-VFBGA di G

  Numero della parte:MT29F2G08ABAGAH4-ITE: G

  Confezione / Cassa:VFBGA-63

  Dimensione della memoria:2 Gbit

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  8Gbit parallelo MT29F8G08ADAFAWP-AIT: FLASH NAND Memory Chip 35mA di F 48-TFSOP

  Numero della parte:MT29F8G08ADAFAWP-AIT: F

  Organizzazione:1 G x 8

  Tipo di memoria:Non volatili

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  Chip MT29F4G01ABAFD12-AAT del circuito integrato: Chip di memoria 24-TBGA di F 4Gbit SPI

  Numero della parte:MT29F4G01ABAFD12-AAT: F

  Codice di FBGA:NW931

  Op. Impiegati.:-40C a +105C

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  memoria flash MT35XU01GBBA1G12-0 SIT Integrated Circuit Chip 24-TBGA di 1Gbit Xccela

  Numero della parte:MT35XU01GBBA1G12-0SIT

  Il settore cancella la granularità uniforme:128kB

  Il subsettore cancella:4KB

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  Chip di memoria MT29F1G08ABBFAH4-ITE: FLASH parallelo 63-VFBGA NAND Memory IC di F 1Gbit

  Numero della parte:MT29F1G08ABBFAH4-ITE: F

  Tipo cronometrante:Asincrono

  Densità:1 GB

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  Chip MT29F4G08ABADAWP-AATX del circuito integrato: D 48-TFSOP NAND Flash Memory Chips

  Numero della parte:MT29F4G08ABADAWP-AATX: D

  Corrente del rifornimento - massima:35 mA

  Larghezza del canale omnibus di dati:bit 8

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  Chip MT29F2G08ABBEAH4-AITX del circuito integrato: Chip di memoria flash paralleli di E 2Gbit

  Numero della parte:MT29F2G08ABBEAH4-AITX: E

  Tipo di prodotto:Memoria flash NAND

  Organizzazione:256 m. x 8

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  63-VFBGA MT29F2G16ABBGAH4-AIT: Chip del circuito integrato di G NAND Flash Memory IC 2Gbit

  Numero della parte:MT29F2G16ABBGAH4-AIT: G

  Tipo cronometrante:Asincrono

  Tensione di rifornimento - massima:1,95 V

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