Numero della parte:S80KS2563GABHI023
Programma:50
Il DSR ha letto:50 MHz
Numero della parte:S80KS5123GABHV023
Interfaccia:interfaccia (ottale) del xSPI
Gamma di temperatura di funzionamento - (i) industriale:– °C 40 a °C +85
Numero della parte:S70KS1282GABHM023
Interfaccia della memoria:HyperBus
Tecnologia:Pseudo SRAM
Numero della parte:S80KS2563GABHI020
Lunghezze scoppiate avvolte:16 byte
Più industriale:-40°C a +105°C
Numero della parte:S26HS512TGABHI013
Consumo corrente lettura /scrittura scoppiato:22mA/25mA
Appoggio:µA 360
Numero della parte:S80KS5123GABHB023
Larghezza del canale omnibus di dati:bit 8
Organizzazione:8 m. x 8
Numero della parte:S27KL0643DPBHB023
Serie:HyperRAM™ chilolitro
Tipo di memoria:Volatile
Numero della parte:S70KS1283GABHI020
Densità:512MB
Tensione di alimentazione:1.7V ~ 2V
Numero del pezzo:MT25QU512ABB8E12-0AAT
Tensione:1.7V ~ 2V
Densità:512MB
Numero del pezzo:MT41K256M16TW-107 AUT: P
Capacità di memoria:4Gbit
Tipo di memoria:Volatile
Numero della parte:S70KS1283GABHI023
DRAM:25nm
Interfaccia della memoria:SPI - Ingresso/uscita ottale
Numero del pezzo:MT29F1G08ABAFAH4-AAT: F
Larghezza del canale omnibus di dati:bit 8
Interfaccia di memoria:Parallelo