Numero della parte:S70KS1283GABHB023
Formato di memoria:PSRAM
Interfaccia della memoria:SPI - Ingresso/uscita ottale
Numero della parte:S80KS5123GABHA020
Tempo di Access iniziale:35 ns
Larghezza di banda:400 MByte/s
Numero della parte:S27KL0642GABHI020
Frequenza dell'orologio:200 MHz
Tempo di accesso:35 ns
Numero della parte:S80KS2563GABHV023
Frequenza di clock:1,8 V
Appoggio:°C 105
Numero della parte:S80KS2562GABHI020
(i) industriale:-40°C a +85°C
Supporto dell'interfaccia:1,8 V/3,0 V
Numero della parte:S80KS5123GABHI020
Dimensione della memoria:512 Mbit
Frequenza di clock massima:200 MHz
Numero della parte:S27KS0642GABHM023
Tecnologia:PSRAM (pseudo SRAM)
Lo scoppio ha letto o scrive:30 mA
Numero della parte:S70KS1282GABHV023
Supporto dell'interfaccia:1,8 V/3,0 V
Temperatura di funzionamento (min):-40°C (TUM)
Numero della parte:S27KS0642GABHB023
Tecnologia:38-nm DRAM
DRAM:38-nm
Numero della parte:S70KL1282GABHB030
Lunghezze scoppiate avvolte:128 byte (64 orologi)
Scoppio lineare:64 MB
Numero della parte:S80KS2563GABHI023
Programma:50
Il DSR ha letto:50 MHz
Numero della parte:S80KS5123GABHV023
Interfaccia:interfaccia (ottale) del xSPI
Gamma di temperatura di funzionamento - (i) industriale:– °C 40 a °C +85