La Cina Chip IC di memoria

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  Supporto di superficie del chip MT25QU02GCBB8E12-0 SIT Memory IC 24-TBGA del circuito integrato

  Numero della parte:MT25QU02GCBB8E12-0SIT

  Tensione di alimentazione - Min:1.7 V

  Tensione di rifornimento - massima:2 V

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  Memoria IC del chip MT25QL512ABB8ESF-0AAT 512Mbit SPI 133MHz del circuito integrato

  Numero della parte:MT25QL512ABB8ESF-0AAT

  Organizzazione della memoria:64M x 8

  Voltaggio - Fornitura:2.7V ~ 3.6V

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  Memoria IC 512Mbit 200MHz 6NS MT35XU512ABA1G12-0 SIT Integrated Circuit Chip

  Numero della parte:MT35XU512ABA1G12-0SIT

  La RDT:200 MHz

  Densità:512MB

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  1Gbit SPI una memoria IC MT25QU01GBBB8ESF-0 SIT Electronic Integrated Circuits di 166 megahertz

  Numero della parte:MT2comunicazione elettronica

  Organizzazione:1 G x 1/512 di m. x 2/256 di m. x 4

  Umidità sensibile:- Sì.

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  PESO MT62F768M64D4EK-023: Chip automobilistico del circuito integrato del chip di memoria TFBGA-441 di C

  Numero della parte:PESO MT62F768M64D4EK-023: C

  Pacco:441-ball TFBGA

  Dimensione:14.0mm x 14.0mm

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  Chip MT28EW512ABA1LJS-0 SIT Flash Embedded Memory IC del circuito integrato

  Numero della parte:MT28EW512ABA1LJS-0SIT

  Scrivere il tempo del ciclo - parola, pagina:60ns

  Tempo di accesso:95 NS

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  Chip MT62F2G64D8CZ-023 FAAT del circuito integrato: Memoria IC dei chip di memoria 64Bit di C 128Gbit

  Numero della parte:MT62F2G64D8CZ-023 FAAT: C

  VDD1:1.70-1.95V; TIPO 1.80V

  Organizzazione:2 G x 64

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  Memoria IC 8-WPDFN del chip MT25QU01GBBB1EW9-0SIT 1Gbit SPI del circuito integrato

  Numero della parte:MT25QU01GBBB1EW9-0SIT

  Cancelli la prestazione:80KB/sec

  Densità:1 GB

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  Chip TFBGA-441 MT62F768M64D4EK-023 FAAT del circuito integrato: Chip di memoria di C 48Gbit

  Numero della parte:MT62F768M64D4EK-023 FAAT: C

  Larghezza di banda massima per canale:17,1 GB/s

  Organizzazione:768 m. x 64

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  48Gbit parallelo MT62F768M64D4EK-023 AUT: Chip del circuito integrato di IC TFBGA-441 di memoria di C

  Numero della parte:MT62F768M64D4EK-023 AUT: C

  Interfaccia della memoria:Parallelamente

  Tensione di rifornimento - massima:1,95 V

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  Chip MT25QU01GBBB8ESF-0AAT 1Gbit SPI di IC supporto della superficie di IC di memoria di 133 megahertz

  Numero della parte:MT25QU01GBBB8ESF-0AAT

  Memoria:1Gbit

  Organizzazione:128M x 8

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  Memoria IC 256Mbit SPI MT25QU256ABA8ESF-0 SIT Electronic Integrated Circuits

  Numero della parte:MT25QU256ABA8ESF-0SIT

  Tipo di interfaccia:SPI

  Tensione di rifornimento - massima:2 V

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