Numero della parte:S80KS5123GABHV020
Organizzazione della memoria:64M x 8
Corrente del rifornimento - massima:44 mA
Numero della parte:S80KS2562GABHM020
DRAM:256 MB
Appoggio:°C 105
Numero della parte:S27KL0643GABHI023
Canale omnibus di dati:8 bit
Frequenza di clock:200 MHz
Numero della parte:S26HS512TGABHV010
Voltaggio - Fornitura:1.7V ~ 2V
Umidità sensibile:- Sì, sì.
Numero della parte:S26HS512TGABHV013
La RDT ha letto:166MHz
Status del prodotto:Attivo
Numero della parte:S70KS1282GABHB030
Tecnologia:PSRAM (pseudo SRAM)
Tipo di memoria:Volatile
Numero della parte:S27KL0642GABHI023
Appoggio:µA 330
Umidità sensibile:- Sì, sì.
Numero della parte:S26HS01GTGABHM020
Frequenza di clock:50 MHz
SPI velocemente ha letto:20,75 MBps
Numero della parte:S70KL1282GABHI023
Frequenza di clock massima:200 MHz
Tempo di accesso massimo:35 ns
Numero della parte:S27KS0643GABHB023
Dimensione della memoria:64Mbit
Frequenza dell'orologio:200 MHz
Numero della parte:S70KL1283GABHV023
Canale omnibus di dati:8 bit
Frequenza di clock:200-MHz
Numero della parte:S27KS0642GABHI020
Organizzazione della memoria:8M x 8
Interfaccia della memoria:HyperBus