La Cina Chip IC di memoria

• 

  Supporto di superficie MT29F2T08EMLEEJ4-T del chip 132-VBGA del circuito integrato: Memoria IC di E

  Numero della parte:MT29F2T08EMLEEJ4-T: E

  Larghezza del canale omnibus di dati:bit 8

  Organizzazione:256 G x 8

  Contattaci
• 

  Circuiti integrati elettronici MT29F4T08EULEEM4-T: FLASH di E - NAND Memory IC

  Numero della parte:MT29F4T08EULEEM4-T: E

  Tipo di montaggio:Montaggio superficiale

  Temperatura di funzionamento:0°C ~ 70°C

  Contattaci
• 

  Chip MT25QL02GCBB8E12-0AAT 2Gbit SPI del circuito integrato una memoria IC di 133 megahertz

  Numero della parte:MT25QL02GCBB8E12-0AAT

  Cancelli la prestazione:80KB/sec

  Subsettore:4KB

  Contattaci
• 

  MT29F2G01ABBGD12-AAT: Supporto di superficie di IC 24-T-PBGA di memoria di G 2Gbit SPI 83MHz

  Numero della parte:MT29F2G01ABBGD12-AAT: G

  Dimensione della memoria:2Gbit

  Interfaccia della memoria:SPI

  Contattaci
• 

  supporto parallelo MT29F1T08EELEEJ4-R della superficie 1Tbit 132-VBGA: E NAND Memory IC

  Numero della parte:MT29F1T08EELEEJ4-R: E

  Tecnologia:FLASH - NAND (TLC)

  Voltaggio - Fornitura:2.6V ~ 3.6V

  Contattaci
• 

  Chip MT29F512G08EBLEEJ4-T del circuito integrato: Memoria IC di E 512Gbit 132-VBGA

  Numero della parte:MT29F512G08EBLEEJ4-T: E

  Organizzazione della memoria:64G x 8

  Larghezza del canale omnibus di dati:bit 8

  Contattaci
• 

  ISTANTANEO - NAND Memory IC MT29F1T08EELEEJ4-T: Pacchetto parallelo 132-VBGA di E 1Tbit

  Numero della parte:MT29F1T08EELEEJ4-T: E

  Tecnologia:FLASH - NAND (TLC)

  Organizzazione:128 G x 8

  Contattaci
• 

  ISTANTANEO - NAND Memory IC MT29F1G01ABBFD12-AAT: Circuiti integrati elettronici di F

  Numero della parte:MT29F1G01ABBFD12-AAT: F

  Organizzazione della memoria:1G x 1

  Interfaccia della memoria:SPI

  Contattaci
• 

  8Tbit FLASH - NAND Memory IC MT29F8T08EWLEEM5-R: Chip del circuito integrato di E

  Numero della parte:MT29F8T08EWLEEM5-R: E

  Tensione di rifornimento - min:1,7 V

  Tensione di rifornimento - massima:1,95 V

  Contattaci
• 

  supporto di superficie MT25QL128ABA1EW7-0 SIT Memory IC di 128Mbit SPI 133 megahertz 8-WPDFN

  Numero della parte:MT25QL128ABA1EW7-0SIT

  Umidità sensibile:- Sì.

  Formato di memoria:Flash

  Contattaci
• 

  Chip MT35XU02GCBA1G12-0 AAT Flash Memory SLC 256MX8 TFBGA QDP del circuito integrato

  Numero della parte:MT3T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T

  Categoria di prodotto:NÉ istantaneo

  Dimensione della memoria:2 Gbit

  Contattaci
• 

  8Tbit FLASH parallelo - NAND Memory IC MT29F8T08EWLEEM5-T: E Chip Integrated Circuit

  Numero della parte:MT29F8T08EWLEEM5-T: E

  Organizzazione:1T x 8

  Interfaccia:Parallelamente

  Contattaci