La Cina Chip IC di memoria

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  Chip a circuito integrato MTFC64GAZAQHD-AIT 512 Gbit eMMC 153-VFBGA IC di memoria

  Numero del pezzo:MTFC64GAZAQHD-AIT

  Capacità di memoria:512 GB

  Organizzazione di memoria:64G x 8

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  Supporto di superficie di IC 512Gbit MMC 153-VFBGA di memoria del chip MTFC64GAZAQHD-AAT di IC

  Numero del pezzo:MTFC64GAZAQHD-AAT

  Interfaccia di memoria:eMMC

  Temperatura di funzionamento:-40°C ~ 105°C (TUM)

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  FLASH di megahertz 153-VFBGA del eMMC 200 di MTFC64GAZAQHD-WT 512Gbit - NAND Memory IC

  Numero del pezzo:MTFC64GAZAQHD-WT

  Capacità di memoria:512Gbit

  Organizzazione di memoria:64G x 8

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  Memoria IC del chip MTFC64GAZAQHD-IT 512Gbit 200MHz 153-VFBGA del circuito integrato

  Numero del pezzo:MTFC64GAZAQHD-IT

  Interfaccia di memoria:eMMC

  Frequenza di clock:200 megahertz

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  I CI scheggiano MT29F1G16ABBFAH4-AAT: Memoria parallela di superficie IC del supporto 1Gbit di F 63-VFBGA

  Numero del pezzo:MT29F1G16ABBFAH4-AAT: F

  Tecnologia:FLASH - NAND (SLC)

  Pacchetto:63-VFBGA

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  153-VFBGA memoria flash di superficie IC del supporto MTFC32GAZAQHD-AIT 256Gbit MMC NAND

  Numero del pezzo:MTFC32GAZAQHD-AIT

  Interfaccia:MMC

  Organizzazione:32G x 8

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  I CI scheggiano la memoria IC di MTFC32GAZAQHD-IT FLASH-NAND 256Gbit 200MHz 153-VFBGA

  Numero del pezzo:MTFC32GAZAQHD-IT

  Stato del prodotto:Attivo

  Tipo di memoria:Non volatile

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  chip ISTANTANEO del circuito integrato di 200MHz MTFC32GAZAQHD-AAT NAND Memory Chip 153VFBGA

  Numero del pezzo:MTFC32GAZAQHD-AAT

  Interfaccia di memoria:MMC

  Frequenza di clock:200 megahertz

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  Circuito integrato elettronico MT29F1G08ABBFAH4-AAT: F NAND Flash Memory IC

  Numero del pezzo:MT29F1G08ABBFAH4-AAT: F

  Pacchetto:VFBGA-63

  Categoria di prodotto:FLASH NAND

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  Chip MT40A256M16LY-062E del circuito integrato: F TR 4G 256M Memory IC FBGA

  Numero del pezzo:MT40A256M16LY-062E: F TR

  Temperatura di funzionamento minima:0 C

  Temperatura di funzionamento massima:+ 95 C

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  Pacchetto MT41K512M16VRP-107 l'IT del chip FBGA-96 del circuito integrato: Memoria IC di P

  Numero del pezzo:MT41K512M16VRP-107 L'IT: P

  Capacità di memoria:8 Gbit

  Tensione di rifornimento - massima:1,45 V

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  512Mbit memoria IC del chip 24FBGA del circuito integrato del chip di memoria S80KS5122GABHV023

  Numero della parte:S80KS5122GABHV023

  Scrivere il tempo del ciclo - parola, pagina:35ns

  Tempo di accesso:35 ns

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